U型坩埚上升法生长碘化铅单晶体
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-9页 |
| 1 绪论 | 第9-28页 |
| ·半导体材料概述 | 第9-11页 |
| ·化合物半导体核辐射探测器概况 | 第11-16页 |
| ·性能优异的PbI_2晶体 | 第16-19页 |
| ·PbI_2晶体生长研究进展 | 第19-22页 |
| ·熔体法生长碘化铅晶体存在的两个问题 | 第22-25页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第25-28页 |
| 2 晶体生长理论基础 | 第28-40页 |
| ·晶体生长的热力学 | 第28-31页 |
| ·晶体生长动力学 | 第31-36页 |
| ·垂直布里奇曼法原理 | 第36-40页 |
| 3 晶体生长实验 | 第40-50页 |
| ·晶体生长设备及温场设计 | 第40-42页 |
| ·单晶生长 | 第42-49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-50页 |
| 4 碘化铅单晶体的性能表征 | 第50-53页 |
| ·I-V特性测试分析 | 第50页 |
| ·禁带宽度 | 第50-51页 |
| ·红外透过率 | 第51-52页 |
| ·能谱特性 | 第52-53页 |
| 5 晶体生成长过程中气泡的分析 | 第53-58页 |
| ·气泡内的压力分析 | 第53-54页 |
| ·熔体的平衡蒸气压 | 第54-55页 |
| ·液态铅的平衡蒸气压力 | 第55页 |
| ·气泡界面产生的附加压力 | 第55-56页 |
| ·液体静压 | 第56页 |
| ·气泡的临界半径 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 6 结论 | 第58-59页 |
| 7 工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
