| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-12页 |
| ·中子衍射残余应力分析技术的发展概况及应用 | 第7-9页 |
| ·蒙特卡罗模拟计算在中子衍射应力分析技术中的应用 | 第9-10页 |
| ·本文研究背景和选题 | 第10-12页 |
| 第二章 中子衍射应力分析谱仪的原理及蒙特卡罗方法 | 第12-23页 |
| ·中子衍射测量材料残余应力的基本原理 | 第12-17页 |
| ·中子衍射应力分析谱仪装置简介 | 第17页 |
| ·蒙特卡罗方法的基本思想及程序软件 | 第17-23页 |
| 第三章 中子衍射应力分析谱仪的模拟和优化 | 第23-64页 |
| ·反应堆中子衍射应力分析谱仪的总体布局和基本参数 | 第23页 |
| ·中子导管 | 第23-43页 |
| ·中子导管入口至水平孔道出口距离 | 第25-29页 |
| ·导管长度 | 第29-31页 |
| ·导管宽度 | 第31-34页 |
| ·导管高度 | 第34-37页 |
| ·导管临界角增大因子 | 第37-39页 |
| ·源、水平孔道出口、导管出口中子纵向比较 | 第39-43页 |
| ·单色器 | 第43-50页 |
| ·不同单色器和不同起飞角与中子波长的关系 | 第44-45页 |
| ·垂直聚焦单色器相对于平板单色器获得的注量率增益 | 第45-46页 |
| ·单晶条数目对应力谱仪性能的影响 | 第46-47页 |
| ·镶嵌度对晶体反射率的影响 | 第47-48页 |
| ·聚焦曲率半径对中子注量率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同晶面和不同起飞角对样品处中子注量率的影响 | 第49-50页 |
| ·多种单色器晶面计算结果比较 | 第50页 |
| ·准直系统 | 第50-57页 |
| ·第一准直器 | 第51-52页 |
| ·第二准直器 | 第52页 |
| ·对谱仪强度和分辨率的影响 | 第52-57页 |
| ·限束孔 | 第57-58页 |
| ·提高模拟效率的技巧 | 第58-62页 |
| ·Vitess计算结果和McStas计算结果的比对分析 | 第62-64页 |
| 第四章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 附录A 峰反射率计算 | 第69-70页 |
| 附录B McStas模型代码 | 第70-75页 |
| 附录C Vitess模型代码 | 第75-80页 |
| 附录D 硕士期间发表文章目录 | 第80页 |