目录 | 第1-7页 |
摘要 | 第7-9页 |
ABSTRACT | 第9-11页 |
第1章 前言 | 第11-37页 |
·引言 | 第11-12页 |
·静电的危害及预防 | 第12-14页 |
·导电粉体的分类与发展 | 第14-21页 |
·金属导电粉体 | 第15页 |
·碳系导电材料 | 第15-17页 |
·高分子导电材料 | 第17-18页 |
·复合型导电粉体 | 第18-19页 |
·浅色无机化合物导电粉体 | 第19-21页 |
·氧化锌的性能和掺杂 | 第21-26页 |
·导电氧化锌的基本性能 | 第21-22页 |
·氧化锌的掺杂 | 第22-23页 |
·氧化锌的能带结构 | 第23-24页 |
·氧化锌的掺杂机制 | 第24-26页 |
·导电氧化锌粉体的制备方法 | 第26-30页 |
·固相混合烧结法 | 第26-27页 |
·共沉淀-煅烧法 | 第27-28页 |
·直接气相合成法 | 第28-29页 |
·共沉淀-等离子体热解法 | 第29-30页 |
·纳米粉体的表面修饰 | 第30-33页 |
·物理修饰法 | 第30-31页 |
·表面活性剂法 | 第30-31页 |
·吸附包覆法 | 第31页 |
·表面沉积法 | 第31页 |
·化学修饰法 | 第31-33页 |
·有机小分子接枝改性法 | 第31-32页 |
·高分子接枝改性法 | 第32-33页 |
·导电氧化锌粉体的应用 | 第33-34页 |
·导电纤维 | 第33页 |
·电磁波屏蔽涂料 | 第33-34页 |
·抗静电涂料 | 第34页 |
·导电塑料和橡胶 | 第34页 |
·论文立题背景和研究内容 | 第34-37页 |
·立题背景 | 第34-35页 |
·研究内容 | 第35-37页 |
第2章 导电氧化锌粉体的制备 | 第37-51页 |
·引言 | 第37-38页 |
·实验原料 | 第38页 |
·主要实验仪器 | 第38-39页 |
·实验 | 第39-40页 |
·实验过程 | 第39页 |
·实验表征 | 第39-40页 |
·实验结果与讨论 | 第40-49页 |
·导电粉体的TEM分析 | 第40-41页 |
·不同铝掺杂量的XRD图谱 | 第41-42页 |
·铝掺杂ZnO(Zn_(0.984)Al_(0.016)O)和纯ZnO的紫外-可见吸收图谱 | 第42页 |
·不同铝掺杂量对导电氧化锌粉体电阻率的影响 | 第42-43页 |
·不同pH值对导电氧化锌粉体电阻率的影响 | 第43-44页 |
·煅烧条件对导电氧化锌粉体电阻率的影响 | 第44-48页 |
·煅烧温度的影响 | 第44-46页 |
·煅烧时间的影响 | 第46-47页 |
·煅烧气氛的影响 | 第47-48页 |
·铝掺杂氧化锌导电机理的解释 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第3章 导电氧化锌粉体的表面修饰 | 第51-63页 |
·引言 | 第51页 |
·实验原料 | 第51-52页 |
·主要实验仪器 | 第52页 |
·实验 | 第52-53页 |
·实验过程 | 第52页 |
·实验表征 | 第52-53页 |
·实验结果与讨论 | 第53-61页 |
·改性后导电氧化锌粉体电阻率测定 | 第53-54页 |
·粉体分散性能的测试 | 第54-57页 |
·活化指数的测定 | 第54-56页 |
·沉降时间的测定 | 第56-57页 |
·改性前后导电氧化锌粉体透射电镜照片(TEM) | 第57-59页 |
·改性前后导电氧化锌粉体红外光谱分析(FT-IR) | 第59-60页 |
·偶联剂修饰的机理解释 | 第60-61页 |
·本章小节 | 第61-63页 |
第4章 纳米导电氧化锌粉体在LLDPE中的应用 | 第63-73页 |
·引言 | 第63-64页 |
·实验原料 | 第64页 |
·主要仪器设备 | 第64页 |
·实验 | 第64-66页 |
·改性导电氧化锌粉体/LLDPE复合材料的制备 | 第64页 |
·实验表征 | 第64-66页 |
·实验结果与讨论 | 第66-71页 |
·不同导电氧化锌粉体含量对LLDPE电阻率的影响 | 第66-67页 |
·不同导电氧化锌粉体含量对LLDPE力学性能的影响 | 第67-68页 |
·纳米导电氧化锌粉体在LLDPE中的分散性研究 | 第68-69页 |
·纳米导电氧化锌/LLDPE复合材料的结晶性能分析 | 第69-70页 |
·纳米导电氧化锌/LLDPE复合材料的红外光谱分析 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-73页 |
第5章 结论与展望 | 第73-75页 |
·结论 | 第73-74页 |
·展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-80页 |
附录 | 第80-81页 |
致谢 | 第81-82页 |