| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 前言 | 第11-13页 |
| 第2章 文献综述 | 第13-37页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第14-18页 |
| ·ZnO的晶体结构和能带结构 | 第15-16页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第16-17页 |
| ·光学性能 | 第17-18页 |
| ·其他性能 | 第18页 |
| ·光抽运ZnO紫外激光器 | 第18-24页 |
| ·ZnO纳米微晶薄膜的激光发射 | 第19-22页 |
| ·ZnO纳米棒(线)的激光发射 | 第22-24页 |
| ·电抽运ZnO紫外激光器 | 第24-26页 |
| ·ZnO纳米棒(线)的制备方法 | 第26-35页 |
| ·气相法制备ZnO纳米棒(线) | 第27-33页 |
| ·液相法制备ZnO纳米棒(线) | 第33-34页 |
| ·制备ZnO纳米棒阵列的方法 | 第34-35页 |
| ·制备方法小结 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-37页 |
| 第3章 实验设备及样品准备 | 第37-41页 |
| ·生长设备 | 第37-38页 |
| ·ZnO薄膜制备——磁控溅射 | 第37页 |
| ·ZnO纳米棒阵列制备装置 | 第37-38页 |
| ·常规热处理炉 | 第38页 |
| ·样品表征与测试设备 | 第38-39页 |
| ·晶体结构与形貌表征仪器 | 第38页 |
| ·光学性能测试设备 | 第38-39页 |
| ·薄膜厚度和折射率测试设备——椭偏光谱仪 | 第39页 |
| ·样品准备 | 第39-41页 |
| 第4章 硅基ZnO纳米棒阵列和器件制备及表征 | 第41-56页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验 | 第41-43页 |
| ·ZnO纳米棒阵列的制备工艺及表征 | 第43-54页 |
| ·ZnO纳米棒阵列生长的概况 | 第43-45页 |
| ·不同温度下沉积的ZnO薄膜籽晶对ZnO纳米棒阵列生长的影响 | 第45-46页 |
| ·水浴温度对ZnO纳米棒阵列生长的影响 | 第46-47页 |
| ·水浴前驱体溶液中Zn源初始浓度对ZnO纳米棒阵列生长的影响 | 第47-48页 |
| ·不同生长时间对ZnO纳米棒阵列形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·籽晶热处理对ZnO纳米棒阵列形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·ZnO纳米棒阵列热处理前后的比较 | 第51-52页 |
| ·补充说明 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| ·溶胶-凝胶法制备绝缘层的折射率 | 第54页 |
| ·溅射法制备Au电极 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 硅基ZnO纳米棒阵列的室温电抽运紫外随机激光 | 第56-72页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·硅基ZnO纳米棒阵列MIS器件制备 | 第57-58页 |
| ·硅基ZnO纳米棒阵列的室温电抽运随机激光概况 | 第58-64页 |
| ·硅基ZnO纳米棒阵列MIS器件激光特性 | 第58-62页 |
| ·ZnO纳米棒阵列MIS器件随机激光发光的机理 | 第62-64页 |
| ·不同工艺条件下制备ZnO纳米棒阵列的MIS器件的随机激光特性 | 第64-70页 |
| ·不同温度下沉积的ZnO薄膜籽晶对MIS器件的影响 | 第64-65页 |
| ·水浴前驱体溶液中Zn源初始浓度对MIS器件的影响 | 第65-66页 |
| ·ITO作正面电极对MIS器件的影响 | 第66-67页 |
| ·热处理工艺对MIS器件的影响 | 第67-70页 |
| ·ZnO纳米棒阵列的MIS器件的寿命研究 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 总结 | 第72-74页 |
| 一、硅基ZnO纳米棒阵列的生长 | 第72页 |
| 二、硅基ZnO纳米棒阵列的室温电抽运紫外随机激光 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 攻读硕士期间发表(提交)的论文 | 第81页 |
