纳米硅的合成、表征以及光学性能研究
| 中文摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-34页 |
| ·引言 | 第14-16页 |
| ·硅纳米材料的研究背景 | 第14-15页 |
| ·硅纳米材料的研究意义 | 第15-16页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第16-25页 |
| ·硅纳米线的合成方法 | 第16-22页 |
| ·硅纳米线的生长机制 | 第22-24页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第24-25页 |
| ·硅量子点的研究现状 | 第25-32页 |
| ·硅量子点的制备方法 | 第25-29页 |
| ·硅量子点的表面修饰 | 第29-30页 |
| ·硅量子点的应用 | 第30-32页 |
| ·本文的研究内容 | 第32-34页 |
| ·选题目的 | 第32-33页 |
| ·研究内容 | 第33-34页 |
| 第二章 实验内容以及测试方法 | 第34-39页 |
| ·实验准备 | 第34-35页 |
| ·实验药品及仪器 | 第34页 |
| ·高频感应炉 | 第34-35页 |
| ·样品表征 | 第35-37页 |
| ·X射线衍射 | 第35-36页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第36页 |
| ·透射电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·红外吸收光谱 | 第37页 |
| ·光学性能测试 | 第37-39页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第37-38页 |
| ·光致发光光谱 | 第38-39页 |
| 第三章 硅纳米线阵列的制备及表征 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·硅纳米线阵列的制备与表征 | 第39-40页 |
| ·原料准备 | 第39页 |
| ·制备过程 | 第39-40页 |
| ·硅纳米线阵列的显微分析 | 第40-46页 |
| ·沉积纳米晶的形貌 | 第40-43页 |
| ·硅纳米线阵列的形貌 | 第43-45页 |
| ·工艺参数对产物的影响 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 硅纳米线的制备及光学性能研究 | 第47-63页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·硅纳米线的制备与表征 | 第47-48页 |
| ·原料准备 | 第47-48页 |
| ·实验过程 | 第48页 |
| ·样品表征 | 第48页 |
| ·硅纳米线的成分和显微结构分析 | 第48-57页 |
| ·X射线衍射分析 | 第49-50页 |
| ·SEM分析 | 第50-52页 |
| ·TEM分析 | 第52-53页 |
| ·HRTEM分析 | 第53-55页 |
| ·特殊形貌的硅纳米线 | 第55-56页 |
| ·FTIR分析 | 第56-57页 |
| ·硅纳米线的光学性能研究 | 第57-59页 |
| ·光致发光光谱 | 第57-58页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第58-59页 |
| ·工艺参数对产物的影响 | 第59-61页 |
| ·原料配比 | 第59-60页 |
| ·升温速度 | 第60页 |
| ·载气类型 | 第60-61页 |
| ·气流速度 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 硅量子点的制备及光学性能研究 | 第63-82页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·硅量子点的制备以及表面修饰 | 第63-66页 |
| ·硅量子点的制备 | 第64-65页 |
| ·硅量子点的表面修饰 | 第65-66页 |
| ·硅量子点的显微结构分析 | 第66-72页 |
| ·TEM分析 | 第66-67页 |
| ·HRTEM分析 | 第67-70页 |
| ·FTIR分析 | 第70-72页 |
| ·硅量子点的生长机理分析 | 第72-76页 |
| ·形貌变化 | 第72-73页 |
| ·模型分析 | 第73-76页 |
| ·光学性能研究 | 第76-80页 |
| ·光致发光光谱 | 第76-77页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第77-78页 |
| ·光学稳定性 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第93-94页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第94页 |
