| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 概述 | 第8-19页 |
| ·研究背景和意义 | 第8页 |
| ·Al_2O_3的研究现状 | 第8-15页 |
| ·MgO 研究现状 | 第15-17页 |
| ·有待解决的问题及本文研究思路 | 第17-19页 |
| 第二章 理论基础与软件介绍 | 第19-37页 |
| ·第一性原理方法介绍 | 第19-31页 |
| ·第一性原理计算输出结果介绍 | 第31-35页 |
| ·CASTEP 软件介绍 | 第35-37页 |
| 第三章 空位对高压下Al_2O_3电学、光学性质的影响 | 第37-47页 |
| ·概述 | 第37页 |
| ·物理模型与计算设置 | 第37-39页 |
| ·计算结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·氧间隙对高压下Al_2O_3电学、光学性质的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小节 | 第46-47页 |
| 第四章 高压下 MgO 电导率突变起因分析 | 第47-53页 |
| ·概述 | 第47页 |
| ·模型建立及计算设置 | 第47-48页 |
| ·结果及讨论 | 第48-52页 |
| ·本章小节 | 第52-53页 |
| 结语 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 在校期间的科研成果 | 第59页 |