低维碳材料的制备与碳纳米管场效应晶体管的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| ·碳纳米材料的研究概况 | 第12-16页 |
| ·碳纳米管场效应器件的研究背景 | 第16-18页 |
| ·项目研究的缘起 | 第18-20页 |
| ·本文的研究思路,方法,成果以及结论 | 第20-22页 |
| 2 碳材料及其应用研究概述 | 第22-36页 |
| ·碳材料家族简介 | 第22-23页 |
| ·碳纳米管的历史 | 第23-24页 |
| ·单壁碳纳米管的制备、结构特性与应用 | 第24-32页 |
| ·主要制备方法 | 第24-26页 |
| ·基本结构 | 第26-31页 |
| ·单壁碳纳米管的应用 | 第31-32页 |
| ·石墨烯的研究 | 第32-34页 |
| ·石墨烯的结构 | 第32-33页 |
| ·石墨烯的研究进展 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 3 单壁碳纳米管的制备与表征 | 第36-54页 |
| ·化学气相沉积生长单壁碳纳米管 | 第36-41页 |
| ·化学气相沉积法实验步骤 | 第36-37页 |
| ·单壁碳纳米管的表征与讨论 | 第37-41页 |
| ·生长高密度长直碳管阵列 | 第41-46页 |
| ·实验过程 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-46页 |
| ·单壁碳纳米管的分散与排列 | 第46-53页 |
| ·实验方法及步骤 | 第46-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 4 单壁碳纳米管场效应晶体管的研究 | 第54-84页 |
| ·改善电学性能 | 第54-68页 |
| ·器件制作的工艺途径 | 第54-55页 |
| ·提高电流开关比 | 第55-59页 |
| ·分析与讨论 | 第59-68页 |
| ·小结 | 第68页 |
| ·沟道材料伸展对器件的影响 | 第68-78页 |
| ·引入沟道长度改变量 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-77页 |
| ·小结 | 第77-78页 |
| ·栅压扫描对器件性能的影响 | 第78-83页 |
| ·栅压扫描的实现 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 5 石墨烯的研究 | 第84-90页 |
| ·石墨烯的制备 | 第84-89页 |
| ·微机械剥离HOPG制备石墨烯 | 第84-87页 |
| ·CVD生长石墨烯 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 6 结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-100页 |
| 作者简历 | 第100-104页 |
| 学位论文数据集 | 第104页 |
