| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-28页 |
| ·硅钢的发展简史 | 第16-18页 |
| ·硅钢的发展 | 第16-17页 |
| ·我国硅钢的发展 | 第17-18页 |
| ·高硅钢的性能及其应用 | 第18-19页 |
| ·高硅钢的性能 | 第18页 |
| ·高硅钢的应用 | 第18-19页 |
| ·高硅钢的制备 | 第19-24页 |
| ·化学气相沉积工艺 | 第20-21页 |
| ·等离子体化学气相沉积工艺 | 第21-22页 |
| ·电泳沉积工艺 | 第22页 |
| ·电子束物理气相沉积工艺 | 第22-23页 |
| ·激光熔覆工艺 | 第23-24页 |
| ·热浸工艺 | 第24页 |
| ·熔盐电沉积工艺的特点 | 第24-25页 |
| ·熔盐电沉积制备高硅钢工艺的提出及本文选题的意义 | 第25-26页 |
| ·主要研究内容 | 第26-27页 |
| ·课题来源 | 第27-28页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第28-39页 |
| ·实验材料和试剂 | 第28-30页 |
| ·实验装置 | 第30-31页 |
| ·工艺流程 | 第31-33页 |
| ·实验技术路线 | 第31-32页 |
| ·沉积基体的预处理 | 第32页 |
| ·熔盐加热与保温 | 第32页 |
| ·电沉积过程 | 第32-33页 |
| ·扩散退火过程 | 第33页 |
| ·材料的表征 | 第33-38页 |
| ·渗硅层成分梯度分析 | 第33页 |
| ·渗硅层截面形貌分析 | 第33-34页 |
| ·渗层表面形貌分析 | 第34页 |
| ·渗硅层物相分析 | 第34-35页 |
| ·织构分析 | 第35-38页 |
| ·磁性检测 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系物理化学性质研究及熔盐配比优化 | 第39-73页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的初晶温度 | 第39-46页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的初晶温度的测定 | 第39-41页 |
| ·NaF 含量对NaCl-KCl-NaF 熔盐体系初晶温度的影响 | 第41-43页 |
| ·Si0_2含量对NaCl-KCl-NaF-Si0_2体系初晶温度的影响 | 第43-45页 |
| ·NaF 含量对NaCl-KCl-NaF-Si0_2体系初晶温度的影响 | 第45-46页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系相结构 | 第46-51页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系相结构的测定 | 第46-47页 |
| ·温度对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系相结构的影响 | 第47-48页 |
| ·组成对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系相结构的影响 | 第48页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系热力学分析 | 第48-51页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的密度 | 第51-55页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的密度的测定 | 第51-52页 |
| ·温度对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系密度的影响 | 第52-54页 |
| ·组成对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系密度的影响 | 第54-55页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的电导率 | 第55-61页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的电导率的测定 | 第55-57页 |
| ·温度对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系电导率的影响 | 第57-59页 |
| ·组成对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系电导率的影响 | 第59-61页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系的表面张力 | 第61-65页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系表面张力的测定 | 第61-62页 |
| ·温度对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系表面张力的影响 | 第62-63页 |
| ·组成对NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐体系表面张力的影响 | 第63-65页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐配比优化 | 第65-71页 |
| ·对称单纯形实验优化设计法原理 | 第65-67页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐配比的对称－单纯形设计 | 第67-68页 |
| ·NaCl-KCl-NaF-Si0_2熔盐配比的优化 | 第68-70页 |
| ·熔盐中各组分变化对渗层厚度的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第4章 脉冲电沉积渗硅工艺的研究 | 第73-109页 |
| ·脉冲电沉积的原理及特点 | 第73-75页 |
| ·电流密度对脉冲电沉积渗硅层的影响 | 第75-83页 |
| ·电流密度对沉积速率的影响 | 第75-76页 |
| ·电流密度对渗硅层成分的影响 | 第76-78页 |
| ·电流密度对渗硅层形貌的影响 | 第78-82页 |
| ·电流密度对渗硅层结构的影响 | 第82-83页 |
| ·占空比对脉冲电沉积渗硅层的影响 | 第83-90页 |
| ·占空比对沉积速率的影响 | 第83-84页 |
| ·占空比对渗硅层成分的影响 | 第84-85页 |
| ·占空比对渗硅层形貌的影响 | 第85-89页 |
| ·占空比对渗硅层结构的影响 | 第89-90页 |
| ·频率对脉冲电沉积渗硅层的影响 | 第90-94页 |
| ·频率对沉积速率的影响 | 第90-91页 |
| ·频率对渗硅层成分的影响 | 第91页 |
| ·频率对渗硅层形貌的影响 | 第91-94页 |
| ·频率对渗硅层结构的影响 | 第94页 |
| ·沉积时间对脉冲电沉积渗硅层的影响 | 第94-100页 |
| ·沉积时间对沉积速率的影响 | 第95页 |
| ·沉积时间对渗硅层成分的影响 | 第95-96页 |
| ·沉积时间对渗硅层形貌的影响 | 第96-99页 |
| ·沉积时间对渗硅层结构的影响 | 第99-100页 |
| ·沉积温度对脉冲电沉积渗硅层的影响 | 第100-103页 |
| ·沉积温度对沉积速率的影响 | 第100页 |
| ·沉积温度对渗硅层形貌的影响 | 第100-103页 |
| ·沉积温度对渗硅层结构的影响 | 第103页 |
| ·硼对熔盐电沉积渗硅层的影响 | 第103-107页 |
| ·硼对渗硅层成分的影响 | 第104-105页 |
| ·硼对渗硅层形貌的影响 | 第105-106页 |
| ·硼对渗硅层结构的影响 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第5章 熔盐电沉积过程中硅在基体中的扩散规律 | 第109-127页 |
| ·确定固态金属中扩散系数的基本原理 | 第109-111页 |
| ·Si 在低硅钢基体中的扩散系数 | 第111-114页 |
| ·Si 在低硅钢基体中的扩散激活能 | 第114-115页 |
| ·Si 在低硅钢基体中的扩散机制 | 第115-117页 |
| ·Fe-Si 渗硅层物相的热力学分析 | 第117-119页 |
| ·Fe-Si 渗硅层相组成及含量分析 | 第119-124页 |
| ·Fe-Si 渗硅层相结构的鉴定 | 第124-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第6章 扩散退火工艺及织构的研究 | 第127-137页 |
| ·确定平均硅含量为6.5%的电沉积工艺 | 第127-128页 |
| ·确定扩散退火工艺的理论依据 | 第128-130页 |
| ·扩散退火工艺参数对成分的影响 | 第130页 |
| ·织构分析 | 第130-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 结论 | 第137-139页 |
| 参考文献 | 第139-149页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第149-150页 |
| 致谢 | 第150-151页 |
| 作者简介 | 第151页 |
