| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-49页 |
| ·一维纳米材料研究综述 | 第11-27页 |
| ·M-TCNQ一维纳米结构研究综述 | 第27-40页 |
| ·ZnO一维纳米结构研究综述 | 第40-47页 |
| ·论文选题背景、技术路线及主要研究内容 | 第47-49页 |
| 第二章 金属有机配合物M-TCNQ一维纳米结构的制备与表征 | 第49-58页 |
| ·M-TCNQ一维纳米结构的制备工艺 | 第49-51页 |
| ·M-TCNQ一维纳米结构的表征 | 第51-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 Cu(TCNQ)一维纳米结构的电开关性质及器件研究 | 第58-78页 |
| ·单根Cu(TCNQ)一维纳米结构的电开关性质 | 第58-66页 |
| ·基于M-TCNQ一维纳米结构的过电压保护器研究 | 第66-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 基于M-TCNQ一维纳米结构的场致发射器件研究 | 第78-94页 |
| ·场发射的理论基础 | 第78-80页 |
| ·一维纳米结构场发射材料相关理论 | 第80-83页 |
| ·M-TCNQ纳米线阵列的场发射性能 | 第83-89页 |
| ·M-TCNQ纳米线阵列的场发射显示性能测试 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第五章 ZnO一维纳米结构的制备和表征 | 第94-109页 |
| ·气相法制备ZnO一维纳米结构 | 第94-103页 |
| ·溶液法制备ZnO一维纳米结构 | 第103-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 基于ZnO纳米线的场效应管器件 | 第109-119页 |
| ·前言 | 第109-111页 |
| ·ZnO纳米线场效应管的制备 | 第111-113页 |
| ·ZnO纳米线场效应管的电学特性 | 第113-116页 |
| ·ZnO纳米线场效应管的光电响应特性 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 第七章 ZnO一维纳米结构的气敏特性及器件应用 | 第119-135页 |
| ·前言 | 第119-122页 |
| ·ZnO四针状晶须的气敏特性 | 第122-129页 |
| ·单根ZnO纳米线微腔气敏传感器 | 第129-134页 |
| ·本章小结 | 第134-135页 |
| 第八章 基于ZnO纳米线的场发射显示器 | 第135-148页 |
| ·前言 | 第135-137页 |
| ·ZnO纳米线的场发射显示器的制备 | 第137-143页 |
| ·ZnO纳米线的场发射显示器的测试 | 第143-147页 |
| ·本章小结 | 第147-148页 |
| 第九章 研究工作总结、创新点和工作展望 | 第148-154页 |
| ·研究工作总结 | 第148-151页 |
| ·创新点 | 第151-152页 |
| ·工作展望 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-169页 |
| 致谢 | 第169-170页 |
