| 论文提要 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·纳米材料的种类和性质 | 第9-17页 |
| ·纳米材料基本特性 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的光学性质 | 第10-15页 |
| ·纳米固体材料的电学性能 | 第15-17页 |
| ·电沉积纳米材料研究进展 | 第17-22页 |
| ·电沉积基础理论的研究 | 第17-18页 |
| ·电沉积制备一维纳米材料方面的进展 | 第18-22页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第22-23页 |
| 第二章 非恒定电位的电沉积及离子因素对沉积物形貌的分析 | 第23-29页 |
| ·实验方法 | 第24-25页 |
| ·沉积物周期性形貌形成因素的机理分析 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 通过方波电位电沉积PbTe/Pb 准一维纳米结构材料 | 第29-44页 |
| ·实验方法 | 第29-30页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料的形貌表征 | 第30-35页 |
| ·准一维纳米结构材料的平行阵列 | 第30-31页 |
| ·准一维纳米结构阵列分叉结构 | 第31-33页 |
| ·纳米结构材料的网格状结构 | 第33-35页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料结构表征 | 第35-38页 |
| ·准一维纳米结构材料X 射线衍射表征 | 第35-36页 |
| ·准一维纳米结构材料透射电镜表征 | 第36-37页 |
| ·准一维纳米结构材料微结构高分辨表征 | 第37-38页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料微结构模型及形成机理 | 第38-40页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料能谱分析 | 第40-41页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料原子力显微镜表征 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 PbTe/Pb 准一维纳米结构材料各种形貌的计算机模拟分析 | 第44-65页 |
| ·准一维纳米结构材料形貌粗细变化的模拟分析 | 第44-50页 |
| ·准一维纳米结构材料阵列边缘少量分叉的计算模拟分析 | 第50-57页 |
| ·准一维纳米结构材料整体大面积分叉计算机模拟分析 | 第57-61页 |
| ·准一维纳米结构材料阵列内部单一分叉的模拟与分析 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 PbTe/Pb 准一维结构材料的电学性质的研究 | 第65-74页 |
| ·四探针法对PbTe/Pb 准一维纳米结构材料电学性质测量 | 第65-69页 |
| ·四探针法分析PbTe/Pb 准一维纳米结构材料分叉部位电学性质 | 第69-72页 |
| ·两探针法对PbTe/Pb 准一维纳米结构材料电学性质测量 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 PbTe/Pb 准一维纳米结构材料光电性能的研究 | 第74-80页 |
| ·PbTe/Pb 准一维纳米结构材料的光电性能 | 第75-77页 |
| ·退火对PbTe/Pb 准一维纳米结构材料光电性能的影响 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第七章 半导体纳米颗粒的合成及纳米半导体器件的构建 | 第80-97页 |
| ·提高PbTe/Pb 准一维纳米结构材料光电性能的模型 | 第80-81页 |
| ·基于模型的一种半导体纳米颗粒的合成方法 | 第81-82页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的表征 | 第82-85页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的形貌表征 | 第82-83页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的结构表征 | 第83-85页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 纳米颗粒高压相变的研究 | 第85-92页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的性能测试 | 第92-94页 |
| ·不同掺杂浓度的Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的磁性测量 | 第92-93页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xS 半导体纳米颗粒的光致发光光谱分析 | 第93-94页 |
| ·PbTe/Pb 纳米结构材料阵列与纳米颗粒构成光电器件的性能 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第八章 结论 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 摘要 | 第118-121页 |
| Abstract | 第121-124页 |
