| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-18页 |
| 符号说明 | 第18-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-46页 |
| §1.1 纳米电子学 | 第19-26页 |
| §1.1.1 介观体系的基本概念 | 第19-22页 |
| §1.1.2 纳米结构的介观现象 | 第22-23页 |
| §1.1.3 纳米电子器件的制备方式 | 第23-26页 |
| §1.2 分子电子学 | 第26-30页 |
| §1.2.1 分子器件的实现途径 | 第27-28页 |
| §1.2.2 分子器件的应用方向 | 第28-30页 |
| §1.3 纳米结构输运的理论方法 | 第30-31页 |
| §1.4 本论文的内容和意义 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-46页 |
| 第二章 基于密度泛函理论的输运方法 | 第46-60页 |
| §2.1 基于密度泛函理论的两种电子结构方法 | 第46-52页 |
| §2.1.1 DFTB方法 | 第46-52页 |
| §2.1.1.1 紧束缚方法 | 第46-48页 |
| §2.1.1.2 DFTB方法 | 第48-52页 |
| §2.1.1.2.1 零级非电荷自洽方法 | 第49-50页 |
| §2.1.1.2.2 电荷自洽的DFTB方法 | 第50-52页 |
| §2.1.2 SIESTA方法 | 第52页 |
| §2.2 DFT+NEGF求解输运问题的计算流程 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 第三章 硅(100)-2×1重构表面π电子态与针尖相互作用导致的输运抑制研究 | 第60-75页 |
| §3.1 引言 | 第60-64页 |
| §3.1.1 晶体的表面态 | 第60页 |
| §3.1.2 硅表面的电子性质 | 第60-64页 |
| §3.1.2.1 硅的表面吸附 | 第61-62页 |
| §3.1.2.2 硅表面重构后的电子输运性质 | 第62-64页 |
| §3.2 模型和方法 | 第64-68页 |
| §3.3 结果和讨论 | 第68-72页 |
| §3.4 结论 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第四章 π-共轭基团对低聚分子扭转开关特性的增强研究 | 第75-95页 |
| §4.1 引言 | 第75-79页 |
| §4.1.1 分子电导常见的的两种调节方式 | 第75-77页 |
| §4.1.2 低聚分子器件的导电特性 | 第77-79页 |
| §4.2 理论模型和计算 | 第79-80页 |
| §4.2.1 结构优化计算 | 第79页 |
| §4.2.2 电子传输计算 | 第79-80页 |
| §4.3 结果和讨论 | 第80-90页 |
| §4.3.1 构象变化下的π共轭性与费米能级处的透射系数T(E_f)对应关系 | 第80-82页 |
| §4.3.2 电流电压曲线分析 | 第82-83页 |
| §4.3.3 透射谱分析 | 第83-85页 |
| §4.3.4 电子轨道分析 | 第85-89页 |
| §4.3.4.1 偏置电压V_b=0.0V时的电子轨道 | 第85-89页 |
| §4.3.4.2 偏置电压V_b=0.6V时的电子轨道 | 第89页 |
| §4.3.5 共轭悬垂基团起最优作用的构象 | 第89-90页 |
| §4.4 结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第五章 总结 | 第95-96页 |
| 博士期间完成的论文目录 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 附录:发表英文论文 | 第98-137页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第137页 |
