| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 声表面波器件的研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 声表面波器件的特点及类型 | 第11页 |
| 1.3 声表面波器件的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.4 声表面波器件的研究意义 | 第13页 |
| 1.5 ZnO材料的进展 | 第13-17页 |
| 1.5.1 ZnO基本性质 | 第13-15页 |
| 1.5.2 ZnO的应用 | 第15-16页 |
| 1.5.3 ZnO薄膜的制备 | 第16-17页 |
| 1.6 论文内容的安排 | 第17-19页 |
| 第二章 ZnO压电薄膜的制备及SAW器件的研制 | 第19-26页 |
| 2.1 ZnO薄膜 | 第19-21页 |
| 2.1.1 ZnO薄膜的制备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 ZnO薄膜的表征 | 第20-21页 |
| 2.2 IDT的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 SAW器件的理论基础 | 第23-25页 |
| 2.3.1 SAW基本理论 | 第23-24页 |
| 2.3.2 SAW器件的模拟仿真 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于ZnO/SiO_2结构SAW器件特性研究 | 第26-36页 |
| 3.1 ZnO薄膜 | 第26-28页 |
| 3.1.1 ZnO薄膜的制备 | 第26页 |
| 3.1.2 ZnO薄膜的XRD图 | 第26-27页 |
| 3.1.3 ZnO薄膜的SEM图 | 第27-28页 |
| 3.2 (002)ZnO/IDT/SiO_2结构的SAW器件 | 第28-32页 |
| 3.2.1 SAW器件的研制 | 第28页 |
| 3.2.2 SAW器件的理论分析 | 第28-30页 |
| 3.2.3 结果与讨论 | 第30-32页 |
| 3.3 IDT位置及ZnO晶体取向对SAW器件特性影响 | 第32-35页 |
| 3.3.1 瑞利波特性 | 第32-34页 |
| 3.3.2 Love波特性 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 基于ZnO/SiO_2/Si多层结构SAW器件特性研究 | 第36-47页 |
| 4.1 SiO_2薄膜和ZnO薄膜 | 第36-38页 |
| 4.1.1 SiO_2薄膜和ZnO薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 4.1.2 SiO_2薄膜和ZnO薄膜的XRD图 | 第37-38页 |
| 4.1.3 ZnO薄膜的SEM图 | 第38页 |
| 4.2 (002)ZnO/IDT/SiO_2/Si结构的SAW器件 | 第38-42页 |
| 4.2.1 SAW器件的研制 | 第38页 |
| 4.2.2 SAW器件的理论分析 | 第38-40页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第40-42页 |
| 4.3 IDT位置及ZnO晶体取向对SAW器件特性影响 | 第42-46页 |
| 4.3.1 瑞利波特性 | 第42-44页 |
| 4.3.2 Love波特性 | 第44-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 SiO_2导波层对ZnO/SiO_2/Si结构SAW特性影响 | 第47-55页 |
| 5.1 SiO_2导波层对ZnO/SiO_2/Si结构中瑞利波特性的影响 | 第47-52页 |
| 5.1.1 SiO_2导波层对(002)ZnO/SiO_2/Si结构中瑞利波特性的影响 | 第47-50页 |
| 5.1.2 SiO_2导波层对(110)ZnO/SiO_2/Si结构中瑞利波特性的影响 | 第50-52页 |
| 5.2 SiO_2导波层对ZnO/SiO_2/Si结构中Love波特性的影响 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
