| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 引言 | 第12-34页 |
| 1.1 红外探测器概述 | 第12-14页 |
| 1.1.1 红外辐射 | 第12-13页 |
| 1.1.2 红外探测器 | 第13-14页 |
| 1.2 碲镉汞红外焦平面探测器 | 第14-17页 |
| 1.2.1 碲镉汞材料 | 第14-15页 |
| 1.2.2 碲镉汞红外焦平面探测器的研究现状及发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.2.3 碲镉汞长波红外探测器 | 第16-17页 |
| 1.3 红外焦平面器件的制备技术 | 第17-28页 |
| 1.3.1 器件结构 | 第17-24页 |
| 1.3.2 工艺路线 | 第24-25页 |
| 1.3.3 HgCdTe红外焦平面器件制备的钝化工艺 | 第25-26页 |
| 1.3.4 钝化层互扩散退火 | 第26-28页 |
| 1.4 红外焦平面器件的表征技术 | 第28-32页 |
| 1.4.1 器件单元性能表征 | 第29-30页 |
| 1.4.2 焦平面性能表征 | 第30-32页 |
| 1.5 本文的研究目的与内容 | 第32-34页 |
| 1.5.1 本文的研究目的 | 第32页 |
| 1.5.2 本文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 长波红外碲镉汞器件暗电流的测试与分析 | 第34-50页 |
| 2.1 碲镉汞红外探测器暗电流拟合分析 | 第34-36页 |
| 2.1.1 解析模型 | 第34-36页 |
| 2.1.2 数值模型 | 第36页 |
| 2.2 变面积二极管阵列暗电流 | 第36-38页 |
| 2.3 不同结构长波HgCdTe单元器件暗电流的测试结果与分析 | 第38-47页 |
| 2.3.1 汞空位n-on-p平面结型长波HgCdTe单元器件 | 第39-41页 |
| 2.3.2 Au掺杂型n-on-p平面结型长波HgCdTe单元器件 | 第41-45页 |
| 2.3.3 p-on-n台面结型长波HgCdTe单元器件 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-50页 |
| 第3章 CdTe/HgCdTe退火工艺研究 | 第50-66页 |
| 3.1 HgCdTe红外焦平面器件CdTe钝化退火工艺 | 第51-53页 |
| 3.1.1 CdTe薄膜生长工艺研究 | 第51-52页 |
| 3.1.2 CdTe/HgCdTe体系退火工艺的研究 | 第52-53页 |
| 3.2 实验结果与分析 | 第53-64页 |
| 3.2.1 电子束蒸发工艺生长CdTe | 第53-56页 |
| 3.2.2 210~240℃退火 | 第56-58页 |
| 3.2.3 260~300℃退火 | 第58-59页 |
| 3.2.4 HgTe气氛退火 | 第59-61页 |
| 3.2.5 两步退火工艺 | 第61-63页 |
| 3.2.6 组分扩散的理论分析 | 第63-64页 |
| 3.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 退火工艺制备HgCdTe长波器件制备与表征 | 第66-88页 |
| 4.1 退火工艺制备HgCdTe长波器件基本结构和工艺 | 第66-74页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第66-70页 |
| 4.1.2 工艺流程 | 第70-74页 |
| 4.2 退火工艺制备HgCdTe长波器件的性能表征 | 第74-86页 |
| 4.2.1 暗电流的测试与分析 | 第74-78页 |
| 4.2.2 变面积二极管阵列 | 第78-79页 |
| 4.2.3 栅控二极管 | 第79-82页 |
| 4.2.4 1/f噪声 | 第82-83页 |
| 4.2.5 高温贮存能力 | 第83-86页 |
| 4.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 第5章 傅里叶变换红外光谱仪测试焦平面光谱 | 第88-110页 |
| 5.1 红外焦平面器件光谱的测试方法 | 第88-89页 |
| 5.1.1 傅里叶变换光谱 | 第88页 |
| 5.1.2 光栅光谱 | 第88-89页 |
| 5.2 傅里叶变换红外光谱仪 | 第89-96页 |
| 5.2.1 傅里叶光谱变换红外仪测试的基本原理 | 第89页 |
| 5.2.2 误差分析 | 第89-96页 |
| 5.3 测试系统搭建 | 第96-102页 |
| 5.3.1 硬件系统 | 第97-99页 |
| 5.3.2 软件系统 | 第99-100页 |
| 5.3.3 平台搭建过程中遇到的问题 | 第100-102页 |
| 5.4 光谱测试 | 第102-108页 |
| 5.4.1 短波器件光谱的测试 | 第102-105页 |
| 5.4.2 中波器件光谱测试 | 第105-106页 |
| 5.4.3 焦平面器件中多光敏元光谱 | 第106-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-110页 |
| 第6章 总结和展望 | 第110-114页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第110-112页 |
| 6.2 问题与展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第126页 |
