| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·纳米晶硅薄膜制备以及荧光特性的研究进展 | 第11-16页 |
| ·纳米晶硅薄膜制备方法 | 第11-12页 |
| ·纳米晶硅薄膜的荧光研究进展 | 第12-16页 |
| ·本文主要的研究内容 | 第16-17页 |
| 2 镶嵌在SiC介质中的纳米晶硅薄膜的实验制备和表征方法 | 第17-26页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第17-19页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射仪设备简述 | 第18-19页 |
| ·镶嵌在SiC介质中的纳米晶硅薄膜的制备过程 | 第19-22页 |
| ·基片预处理 | 第19-20页 |
| ·复合靶材的制备 | 第20-21页 |
| ·薄膜制备过程 | 第21-22页 |
| ·薄膜表征 | 第22-26页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第22页 |
| ·拉曼光谱(Reman Scattering) | 第22-23页 |
| ·X-射线衍射谱(XRD) | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第24-25页 |
| ·荧光光谱(PL) | 第25-26页 |
| 3 镶嵌在SiC介质中的纳米晶硅薄膜性能研究 | 第26-54页 |
| ·实验方案 | 第26-27页 |
| ·制备工艺参数对Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜结构的影响 | 第27-44页 |
| ·不同溅射气压下制备的Si_(1_x)C_x/SiC多层薄膜的AFM分析 | 第27-29页 |
| ·不同退火温度下Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜的XRD和Raman分析 | 第29-35页 |
| ·不同退火温度下Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜的SEM分析 | 第35-37页 |
| ·不同退火温度下Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜的红外光谱分析 | 第37-38页 |
| ·不同Si/SiC面积比下Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜的XRD与Raman分析 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| ·制备工艺参数对Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜光致发光特性的影响 | 第44-54页 |
| ·退火温度对Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜的光致发光特性影响 | 第44-49页 |
| ·复合靶上Si/SiC面积比对Si_(1-x)C_x/SiC多层薄膜光致发光特性影响 | 第49-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 4 主要结论和展望 | 第54-57页 |
| ·主要结论 | 第54-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
