| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 太阳能电池简介 | 第10-11页 |
| 1.2 太阳能电池的工作原理 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜太阳能电池 | 第13-14页 |
| 1.4 硒化锑薄膜太阳能电池 | 第14-20页 |
| 1.5 TiO_2缓冲层的基本性质与应用 | 第20-23页 |
| 1.6 高通量实验方法 | 第23-25页 |
| 1.7 本论文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 2 器件制备与表征方法 | 第27-41页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 器件结构的选择 | 第27-28页 |
| 2.3 器件各功能层的制备方法 | 第28-34页 |
| 2.4 材料表征方法介绍 | 第34-36页 |
| 2.5 电学表征方法介绍 | 第36-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 高通量方法优化制备TiO_2/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池 | 第41-60页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 高通量方法对TiO_2薄膜厚度的优化 | 第41-43页 |
| 3.3 高通量方法对TiO_2薄膜退火温度的优化 | 第43-50页 |
| 3.4 高通量方法对Sb_2Se_3薄膜厚度的优化 | 第50-51页 |
| 3.5 TiO_2/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池的背表面处理 | 第51-54页 |
| 3.6 TiO_2/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池的稳定性测试 | 第54-55页 |
| 3.7 TiO_2/Sb_2Se_3薄膜太阳能电池其它器件物理表征分析 | 第55-59页 |
| 3.8 本章小结 | 第59-60页 |
| 4 基于TiO_2无毒缓冲层的VTD法制备Sb_2Se_3薄膜太阳能电池的探索 | 第60-68页 |
| 4.1 引言 | 第60页 |
| 4.2 VTD管式炉的结构和Sb_2Se_3薄膜制备机理 | 第60-61页 |
| 4.3 基底温度对Sb_2Se_3薄膜取向的影响 | 第61-63页 |
| 4.4 VTD沉积Sb_2Se_3薄膜的过程研究及器件优化 | 第63-64页 |
| 4.5 基底支架的研究与选择 | 第64-66页 |
| 4.6 本章总结 | 第66-68页 |
| 5 总结与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第68页 |
| 5.2 论文主要创新点 | 第68-69页 |
| 5.3 对进一步研究的展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第78-80页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第80页 |
