| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 UV-LED的研究背景 | 第11-15页 |
| 1.1.1 UV-LED的应用领域 | 第11-12页 |
| 1.1.2 UV-LED的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.1.3 高效率AlGaN基UV-LED面临的技术问题 | 第14-15页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料概述 | 第15-21页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物材料的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物材料的能带结构 | 第17-19页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物材料的极化效应 | 第19-21页 |
| 1.3 半极性Ⅲ族氮化物材料的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第23-27页 |
| 第二章 MOCVD外延生长技术与材料表征方法 | 第27-45页 |
| 2.1 MOCVD外延生长技术 | 第27-34页 |
| 2.1.1 MOCVD生长系统简介 | 第27-30页 |
| 2.1.2 MOCVD工作原理及影响因素 | 第30-32页 |
| 2.1.3 MOCVD外延生长的工艺流程 | 第32-34页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第34-44页 |
| 2.2.1 高分辨率X射线衍射(HR-XRD) | 第34-37页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第37-38页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第38-39页 |
| 2.2.4 紫外可见分光光度计(UV-Vis) | 第39-40页 |
| 2.2.5 光致发光谱(PL) | 第40-42页 |
| 2.2.6 霍尔(Hall)效应测试 | 第42-44页 |
| 2.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 In作表面活性剂生长半极性AlGaN薄膜 | 第45-55页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 材料生长 | 第46-47页 |
| 3.3 特性表征及数据分析 | 第47-53页 |
| 3.3.1 晶体质量 | 第47-50页 |
| 3.3.2 表面各向异性 | 第50-52页 |
| 3.3.3 电学特性 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 半极性Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N多量子阱的生长及表征 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 外延生长 | 第56-58页 |
| 4.3 表征分析 | 第58-67页 |
| 4.3.1 生长速率对AlGaN基多量子阱性质的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.2 铟表面活性剂对AlGaN基多量子阱性质的影响 | 第61-65页 |
| 4.3.3 势阱宽度对AlGaN基多量子阱性质的影响 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 Mg-δ掺杂半极性AlGaN材料的生长及表征 | 第69-79页 |
| 5.1 引言 | 第69-70页 |
| 5.2 材料生长 | 第70-73页 |
| 5.3 表征分析 | 第73-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-83页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第79-80页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第95页 |
