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低压直流固态断路器用SiC MOSFET温度特性及快速可靠关断技术研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-7页
1 绪论第11-25页
    1.1 课题背景和意义第11-15页
    1.2 国内外研究现状分析第15-22页
        1.2.1 温度对SiCMOSFET性能影响研究现状第15-16页
        1.2.2 固态断路器关断初期过电压抑制方法研究现状第16-19页
        1.2.3 固态断路器故障电流检测研究现状第19-22页
    1.3 本文的研究内容第22-25页
2 SiCMOSFET栅极电容参数提取方法第25-35页
    2.1 引言第25页
    2.2 SiCMOSFET典型结构第25-27页
    2.3 SiCMOSFET栅极电容提取原理分析第27-30页
    2.4 SiCMOSFET栅极电容提取实验第30-31页
    2.5 影响因素分析第31-34页
    2.6 小结第34-35页
3 温度对SiCMOSFET静、动态性能的影响第35-59页
    3.1 引言第35页
    3.2 温度对SiCMOSFET静态性能的影响第35-38页
    3.3 温度对SiCMOSFET动态性能的影响第38-52页
        3.3.1 SiCMOSFET导通、关断过程概述第38页
        3.3.2 实验方法第38-40页
        3.3.3 温度对SiCMOSFET电压变化率的影响分析第40-46页
        3.3.4 温度对SiCMOSFET电流变化率的影响分析第46-50页
        3.3.5 温度对SiCMOSFET短路特性的影响第50-52页
    3.4 SiCMOSFET等效电路模型第52-57页
        3.4.1 模型建立第52-55页
        3.4.2 模型验证第55-57页
    3.5 小结第57-59页
4 基于SiCMOSFET直流固态断路器过电压抑制方法第59-73页
    4.1 引言第59页
    4.2 直流固态断路器基本结构及关断过压问题第59-63页
        4.2.1 基本结构第59-62页
        4.2.2 关断过压问题第62-63页
    4.3 MOV缓冲电路过电压抑制方法第63-68页
        4.3.1 工作原理第63-65页
        4.3.2 仿真结果第65-67页
        4.3.3 缓冲MOV选择依据第67-68页
    4.4 实验及结果分析第68-71页
        4.4.1 实验平台第68-69页
        4.4.2 结果分析第69-71页
    4.5 小结第71-73页
5 基于SiCMOSFET直流固态断路器故障电流检测方法第73-93页
    5.1 引言第73页
    5.2 基于栅极电压的故障电流检测方法第73-77页
    5.3 仿真结果第77-87页
        5.3.1 负载短路特性仿真结果第77-80页
        5.3.2 不同环境因素对负载短路特性的影响第80-86页
        5.3.3 基于栅极电压故障电流检测方法仿真结果第86-87页
    5.4 实验验证第87-92页
    5.5 小结第92-93页
6 基于SiCMOSFET直流固态断路器设计及性能测试第93-109页
    6.1 引言第93页
    6.2 基于SiCMOSFET直流固态断路器设计第93-100页
        6.2.1 拓扑结构第93-94页
        6.2.2 主开关单元第94-95页
        6.2.3 驱动电路第95-99页
        6.2.4 故障电流检测系统第99页
        6.2.5 能量吸收支路MOV第99-100页
        6.2.6 缓冲电路MOV第100页
    6.3 基于SiCMOSFET直流固态断路性能测试第100-108页
        6.3.1 基于SiCMOSFET直流固态断路样机第100-101页
        6.3.2 测试方法第101-102页
        6.3.3 测试结果分析第102-108页
    6.4 小结第108-109页
7 结论及展望第109-111页
致谢第111-113页
参考文献第113-123页
附录第123-125页
    A.作者在攻读博士学位期间发表的论文目录第123-124页
    B.作者在攻读博士学位期间申请和授权专利目录第124页
    C.作者在攻读博士学位期间承担和参与的主要科研项目第124-125页

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