中文摘要 | 第3-5页 |
英文摘要 | 第5-7页 |
1 绪论 | 第11-25页 |
1.1 课题背景和意义 | 第11-15页 |
1.2 国内外研究现状分析 | 第15-22页 |
1.2.1 温度对SiCMOSFET性能影响研究现状 | 第15-16页 |
1.2.2 固态断路器关断初期过电压抑制方法研究现状 | 第16-19页 |
1.2.3 固态断路器故障电流检测研究现状 | 第19-22页 |
1.3 本文的研究内容 | 第22-25页 |
2 SiCMOSFET栅极电容参数提取方法 | 第25-35页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 SiCMOSFET典型结构 | 第25-27页 |
2.3 SiCMOSFET栅极电容提取原理分析 | 第27-30页 |
2.4 SiCMOSFET栅极电容提取实验 | 第30-31页 |
2.5 影响因素分析 | 第31-34页 |
2.6 小结 | 第34-35页 |
3 温度对SiCMOSFET静、动态性能的影响 | 第35-59页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 温度对SiCMOSFET静态性能的影响 | 第35-38页 |
3.3 温度对SiCMOSFET动态性能的影响 | 第38-52页 |
3.3.1 SiCMOSFET导通、关断过程概述 | 第38页 |
3.3.2 实验方法 | 第38-40页 |
3.3.3 温度对SiCMOSFET电压变化率的影响分析 | 第40-46页 |
3.3.4 温度对SiCMOSFET电流变化率的影响分析 | 第46-50页 |
3.3.5 温度对SiCMOSFET短路特性的影响 | 第50-52页 |
3.4 SiCMOSFET等效电路模型 | 第52-57页 |
3.4.1 模型建立 | 第52-55页 |
3.4.2 模型验证 | 第55-57页 |
3.5 小结 | 第57-59页 |
4 基于SiCMOSFET直流固态断路器过电压抑制方法 | 第59-73页 |
4.1 引言 | 第59页 |
4.2 直流固态断路器基本结构及关断过压问题 | 第59-63页 |
4.2.1 基本结构 | 第59-62页 |
4.2.2 关断过压问题 | 第62-63页 |
4.3 MOV缓冲电路过电压抑制方法 | 第63-68页 |
4.3.1 工作原理 | 第63-65页 |
4.3.2 仿真结果 | 第65-67页 |
4.3.3 缓冲MOV选择依据 | 第67-68页 |
4.4 实验及结果分析 | 第68-71页 |
4.4.1 实验平台 | 第68-69页 |
4.4.2 结果分析 | 第69-71页 |
4.5 小结 | 第71-73页 |
5 基于SiCMOSFET直流固态断路器故障电流检测方法 | 第73-93页 |
5.1 引言 | 第73页 |
5.2 基于栅极电压的故障电流检测方法 | 第73-77页 |
5.3 仿真结果 | 第77-87页 |
5.3.1 负载短路特性仿真结果 | 第77-80页 |
5.3.2 不同环境因素对负载短路特性的影响 | 第80-86页 |
5.3.3 基于栅极电压故障电流检测方法仿真结果 | 第86-87页 |
5.4 实验验证 | 第87-92页 |
5.5 小结 | 第92-93页 |
6 基于SiCMOSFET直流固态断路器设计及性能测试 | 第93-109页 |
6.1 引言 | 第93页 |
6.2 基于SiCMOSFET直流固态断路器设计 | 第93-100页 |
6.2.1 拓扑结构 | 第93-94页 |
6.2.2 主开关单元 | 第94-95页 |
6.2.3 驱动电路 | 第95-99页 |
6.2.4 故障电流检测系统 | 第99页 |
6.2.5 能量吸收支路MOV | 第99-100页 |
6.2.6 缓冲电路MOV | 第100页 |
6.3 基于SiCMOSFET直流固态断路性能测试 | 第100-108页 |
6.3.1 基于SiCMOSFET直流固态断路样机 | 第100-101页 |
6.3.2 测试方法 | 第101-102页 |
6.3.3 测试结果分析 | 第102-108页 |
6.4 小结 | 第108-109页 |
7 结论及展望 | 第109-111页 |
致谢 | 第111-113页 |
参考文献 | 第113-123页 |
附录 | 第123-125页 |
A.作者在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第123-124页 |
B.作者在攻读博士学位期间申请和授权专利目录 | 第124页 |
C.作者在攻读博士学位期间承担和参与的主要科研项目 | 第124-125页 |