| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| 1.1 自旋电子学和自旋霍尔效应 | 第16页 |
| 1.2 量子自旋霍尔效应 | 第16-18页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第18-21页 |
| 1.4 磁性掺杂的拓扑绝缘体 | 第21-22页 |
| 1.5 自旋轨道耦合 | 第22-24页 |
| 1.6 拓扑绝缘体Bi_2Se_3类薄膜相关研究进展 | 第24-26页 |
| 1.6.1 拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的表面耦合 | 第24-25页 |
| 1.6.2 超薄拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的电学光学性质 | 第25页 |
| 1.6.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的替代缺陷影响 | 第25-26页 |
| 1.7 本文主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第27-35页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第27-31页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第27-28页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第28-29页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第29页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第29-30页 |
| 2.1.5 轨道泛函LDA(GGA)+U | 第30-31页 |
| 2.2 缀加平面波函数 | 第31页 |
| 2.3 光学性质 | 第31-33页 |
| 2.4 计算工具VASP程序包 | 第33-35页 |
| 第三章 表面耦合作用对Bi_2Se_3薄膜性质影响 | 第35-52页 |
| 3.1 计算方法与模型 | 第35-36页 |
| 3.2 几何参数和稳定性 | 第36-38页 |
| 3.3 表面态的耦合相互作用和传输性质 | 第38-46页 |
| 3.4 光学性质的厚度依赖性 | 第46-51页 |
| 3.5 小结 | 第51-52页 |
| 第四章 单层Bi_2Se_3的空缺和替代对薄膜性质影响 | 第52-59页 |
| 4.1 计算方法与模型 | 第52-53页 |
| 4.2 Bi_2Se_3结构的空缺、替代体系能量和磁矩分析 | 第53-54页 |
| 4.3 Bi_2Se_3结构的空缺、替代体系电子结构分析 | 第54-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第65-66页 |
