| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 论文主要工作与章节安排 | 第20-23页 |
| 第二章 Si基改性Ge材料的能带结构与发光特性 | 第23-43页 |
| 2.1 应变对Ge材料的改性 | 第23-31页 |
| 2.1.1 Ge的能带结构 | 第23-24页 |
| 2.1.2 应变对Ge能带结构的影响 | 第24-26页 |
| 2.1.3 改性Ge中载流子的分布 | 第26-31页 |
| 2.2 改性Ge材料的光吸收 | 第31-32页 |
| 2.3 改性Ge材料中的载流子复合 | 第32-37页 |
| 2.4 改性Ge材料的内部量子效率 | 第37-39页 |
| 2.5 改性Ge材料的光增益 | 第39-40页 |
| 2.6 GeSn合金 | 第40-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 Si基改性Ge红外发光器件的结构研究 | 第43-55页 |
| 3.1 发光二极管的工作原理 | 第43-44页 |
| 3.2 发光二极管的电致发光 | 第44-46页 |
| 3.2.1 PN结的电致发光 | 第44-46页 |
| 3.2.2 异质结的电致发光 | 第46页 |
| 3.3 发光二极管的特性 | 第46-48页 |
| 3.4 Si基改性Ge红外发光二极管的设计 | 第48-53页 |
| 3.4.1 异质结在半导体发光器件中的作用 | 第48-49页 |
| 3.4.2 P-I-N结在半导体发光器件中的作用 | 第49-50页 |
| 3.4.3 氮化硅应力技术 | 第50-51页 |
| 3.4.4 GeSn合金技术 | 第51页 |
| 3.4.5 Si基改性Ge红外发光二极管的结构设计 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 Si基改性Ge红外发光二极管的仿真研究 | 第55-75页 |
| 4.1 SilvacoTCAD仿真软件介绍 | 第55-56页 |
| 4.2 改性Ge红外发光二极管的仿真 | 第56-61页 |
| 4.2.1 结构设置 | 第56-58页 |
| 4.2.2 材料参数及模型设置 | 第58-59页 |
| 4.2.3 数值计算方法设置 | 第59页 |
| 4.2.4 获取器件特性及结果 | 第59-61页 |
| 4.3 仿真结果的分析与讨论 | 第61-71页 |
| 4.3.1 P/N区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第62-64页 |
| 4.3.2 本征Ge层厚度对器件特性的影响 | 第64-67页 |
| 4.3.3 应变大小对器件特性的影响 | 第67-70页 |
| 4.3.4 温度对器件特性的影响 | 第70-71页 |
| 4.4 Ge发光二极管与GeSn发光二极管光谱响应图的对比 | 第71-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |