| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 前言 | 第10-12页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第12-32页 |
| 2.1 分子轨道理论 | 第13-16页 |
| 2.1.1 闭壳层分子的HFR方程 | 第13-15页 |
| 2.1.2 开壳层分子的HFR方程 | 第15-16页 |
| 2.2 密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT) | 第16-20页 |
| 2.3 基组数(基组)的选择 | 第20-21页 |
| 2.4 电子相关问题 | 第21-27页 |
| 2.4.1 电子相关能 | 第22页 |
| 2.4.2 组态相互作用(Configuration Interaction,CI) | 第22-25页 |
| 2.4.3 耦合簇方法(Coupled-cluster,CC) | 第25-27页 |
| 2.5 振动频率的计算 | 第27-29页 |
| 2.6 内禀反应坐标理论 | 第29-32页 |
| 第3章 含有π型配体骨架的18电子高周期14族平面四配位化合物C_2Y_2M(Y=Al/Ga/In/Tl;M=Si/Ge/Sn/Pb)的理论研究 | 第32-50页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33-34页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第34-49页 |
| 3.3.1 C_2Y_2M(Y=Al/Ga/In/Tl;M=Si/Ge/Sn/Pb)的结构和成键特性 | 第39-46页 |
| 3.3.2 C_2Y_2M-ptM与配体骨架C_2Y_2的比较 | 第46-49页 |
| 3.4 研究意义 | 第49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 含有π型配体骨架的高周期14族平面四配位化合物C_2X_2Y~q(X=Si,Ge,Sn,Pb;Y=C,Si,Ge,Sn,Pb;q=+1,0,-1)的理论研究 | 第50-70页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第52-67页 |
| 4.3.1 C_2X_2Y~q(X=Si,Ge,Sn,Pb;Y=C,Si,Ge,Sn,Pb;q=+1,0,-1)的结构论证 | 第62页 |
| 4.3.2 ptM结构的稳定机制 | 第62-66页 |
| 4.3.3 ptX和ptY对比 | 第66-67页 |
| 4.4 研究意义 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-90页 |
| 作者简介 | 第90-92页 |
| 攻读硕士学位期间发表及完成的论文 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
