| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 非晶合金的发展概况 | 第10-12页 |
| 1.3 非晶合金薄膜的研究现状 | 第12-17页 |
| 1.4 非晶合金薄膜的潜在应用 | 第17-20页 |
| 1.5 研究意义及主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-25页 |
| 2.1 薄膜的制备与处理 | 第21-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜 | 第21-22页 |
| 2.1.2 薄膜的退火处理 | 第22页 |
| 2.2 材料分析测试方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第23页 |
| 2.2.3 原子力显微镜分析(AFM) | 第23页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜分析(TEM) | 第23页 |
| 2.2.5 椭圆偏振测试分析 | 第23-24页 |
| 2.2.6 分光光度计测试分析 | 第24页 |
| 2.2.7 四探针法测试分析 | 第24-25页 |
| 第3章 磁控溅射参数对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜的影响 | 第25-48页 |
| 3.1 前言 | 第25-26页 |
| 3.2 磁控溅射时间对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜微观结构的影响 | 第26-34页 |
| 3.2.1 X射线衍射分析 | 第26页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜分析 | 第26-27页 |
| 3.2.3 扫描电子显微镜分析 | 第27-29页 |
| 3.2.4 原子力显微镜分析 | 第29-34页 |
| 3.3 磁控溅射时间对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜光学性能的影响 | 第34-40页 |
| 3.3.1 磁控溅射时间对光学常数n,k的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 磁控溅射时间对光的透射和吸收的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 磁控溅射时间对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜电学性能的影响 | 第40-47页 |
| 3.4.1 磁控溅射时间对载流子迁移率的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.2 磁控溅射时间对霍尔系数的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 磁控溅射时间对电阻率的影响 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 退火处理对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜的影响 | 第48-61页 |
| 4.1 前言 | 第48页 |
| 4.2 退火处理对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜微观结构的影响 | 第48-52页 |
| 4.2.1 X射线衍射分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2 扫描电子显微镜SEM分析 | 第49-50页 |
| 4.2.3 扫描电子显微镜EDS分析 | 第50-51页 |
| 4.2.4 原子力显微镜AFM分析 | 第51-52页 |
| 4.3 退火处理对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜光学性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.3.1 退火处理对薄膜折射率的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.2 退火处理对薄膜消光系数的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.3 退火处理对薄膜透射率的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.4 退火处理对薄膜吸收率的影响 | 第55-56页 |
| 4.4 退火处理对Cu_(50)Zr_(50)非晶合金薄膜电学性能的影响 | 第56-60页 |
| 4.4.1 退火处理对载流子迁移率的影响 | 第56-57页 |
| 4.4.2 退火处理对电阻率的影响 | 第57-59页 |
| 4.4.3 退火处理对霍尔系数的影响 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
