| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 创新点摘要 | 第9-13页 |
| 前言 | 第13-15页 |
| 第一章 概述 | 第15-33页 |
| 1.1 三元复合驱技术 | 第15-17页 |
| 1.1.1 三元复合驱技术的产生 | 第15-16页 |
| 1.1.2 三元复合驱技术的特点 | 第16-17页 |
| 1.2 三元复合驱的结垢问题 | 第17-23页 |
| 1.2.1 三元复合驱的结垢原因 | 第17-19页 |
| 1.2.2 三元复合驱结垢的影响因素 | 第19-21页 |
| 1.2.3 三元复合驱的结垢现状 | 第21-22页 |
| 1.2.4 三元复合驱的防垢现状 | 第22-23页 |
| 1.3 常用的防垢技术 | 第23-27页 |
| 1.3.1 物理防垢技术 | 第24-25页 |
| 1.3.2 化学防垢技术 | 第25-27页 |
| 1.3.3 工艺防垢技术 | 第27页 |
| 1.4 防垢剂的研究现状 | 第27-31页 |
| 1.4.1 防垢剂的种类 | 第27-30页 |
| 1.4.2 防垢剂的作用机理 | 第30-31页 |
| 1.5 本文研究目的、意义及研究内容 | 第31-33页 |
| 1.5.1 本文研究目的和意义 | 第31-32页 |
| 1.5.2 本文主要研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 MAPS四元共聚物防垢剂的制备及性能研究 | 第33-47页 |
| 2.1 本章概述 | 第33页 |
| 2.2 实验主要试剂和仪器 | 第33-34页 |
| 2.2.1 主要试剂 | 第33-34页 |
| 2.2.2 主要仪器 | 第34页 |
| 2.3 硅标准曲线的绘制 | 第34-35页 |
| 2.3.1 曲线绘制的原理 | 第34-35页 |
| 2.3.2 曲线绘制的步骤 | 第35页 |
| 2.4 MAPS四元共聚物的制备 | 第35-36页 |
| 2.5 共聚反应条件对硅垢防垢率的影响 | 第36-37页 |
| 2.5.1 单因素实验 | 第36页 |
| 2.5.2 正交实验 | 第36-37页 |
| 2.6 MAPS四元共聚物防垢剂的性能评价方法 | 第37-39页 |
| 2.6.1 溶液的配置 | 第37页 |
| 2.6.2 硅垢防垢率的测定步骤 | 第37-38页 |
| 2.6.3 钙垢防垢率的测定步骤 | 第38页 |
| 2.6.4 四元共聚物的结构分析 | 第38页 |
| 2.6.5 四元共聚物的作用机理 | 第38-39页 |
| 2.7 MAPS四元共聚物防垢剂的硅垢防垢率的影响因素 | 第39页 |
| 2.7.1 不同浓度的四元共聚物对硅垢防垢率的影响 | 第39页 |
| 2.7.2 成垢体系的酸碱性对四元共聚物硅垢防垢率的影响 | 第39页 |
| 2.7.3 成垢体系的温度对四元共聚物硅垢防垢率的影响 | 第39页 |
| 2.8 实验结果与讨论 | 第39-45页 |
| 2.8.1 MAPS四元共聚物的结构分析 | 第39-40页 |
| 2.8.2 合成条件对硅垢防垢率的影响 | 第40-43页 |
| 2.8.3 MAPS四元共聚物的硅垢防垢率的影响因素 | 第43-44页 |
| 2.8.4 MAPS四元共聚物的钙垢防垢率的测定 | 第44-45页 |
| 2.8.5 四元共聚物加入前后垢样扫描电镜图及防垢机理 | 第45页 |
| 2.9 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 MACS四元共聚物防垢剂的制备及性能研究 | 第47-57页 |
| 3.1 本章概述 | 第47页 |
| 3.2 实验主要试剂和仪器 | 第47页 |
| 3.3 MACS四元共聚物的制备 | 第47页 |
| 3.4 共聚反应条件对硅垢防垢率的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.1 单因素实验 | 第47页 |
| 3.4.2 正交实验 | 第47-48页 |
| 3.5 MACS四元共聚物防垢剂的性能评价方法 | 第48页 |
| 3.6 MACS四元共聚物防垢剂的硅垢防垢率的影响因素 | 第48页 |
| 3.7 实验结果与讨论 | 第48-55页 |
| 3.7.1 MACS四元共聚物的结构分析 | 第48-49页 |
| 3.7.2 合成条件对硅垢防垢率的影响 | 第49-52页 |
| 3.7.3 MACS四元共聚物的硅垢防垢率的影响因素 | 第52-54页 |
| 3.7.4 MACS四元共聚物的钙垢防垢率的测定 | 第54页 |
| 3.7.5 MACS四元共聚物加入前后垢样扫描电镜图及防垢机理 | 第54-55页 |
| 3.8 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 MCPS四元共聚物防垢剂的制备及性能研究 | 第57-66页 |
| 4.1 本章概述 | 第57页 |
| 4.2 实验主要试剂和仪器 | 第57页 |
| 4.3 MCPS四元共聚物的制备 | 第57页 |
| 4.4 共聚反应条件对硅垢防垢率的影响 | 第57-58页 |
| 4.4.1 单因素实验 | 第57页 |
| 4.4.2 正交实验 | 第57-58页 |
| 4.5 MCPS四元共聚物防垢剂的性能评价方法 | 第58页 |
| 4.6 MCPS四元共聚物防垢剂的硅垢防垢率的影响因素 | 第58页 |
| 4.7 实验结果与讨论 | 第58-65页 |
| 4.7.1 MCPS四元共聚物的结构分析 | 第58-59页 |
| 4.7.2 合成条件对硅垢防垢率的影响 | 第59-62页 |
| 4.7.3 MCPS四元共聚物的硅垢防垢率的影响因素 | 第62-64页 |
| 4.7.4 MCPS四元共聚物的钙垢防垢率的测定 | 第64页 |
| 4.7.5 MCPS四元共聚物加入前后垢样扫描电镜图及防垢机理 | 第64-65页 |
| 4.8 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 MASS四元共聚物防垢剂的制备与性能研究 | 第66-75页 |
| 5.1 本章概述 | 第66页 |
| 5.2 实验主要试剂和仪器 | 第66页 |
| 5.3 MASS四元共聚物的制备 | 第66页 |
| 5.4 共聚反应条件对硅垢防垢率的影响 | 第66-67页 |
| 5.4.1 单因素实验 | 第66-67页 |
| 5.4.2 正交实验 | 第67页 |
| 5.5 MASS四元共聚物防垢剂的性能评价方法 | 第67页 |
| 5.6 MASS四元共聚物防垢剂的硅垢防垢率的影响因素 | 第67页 |
| 5.7 实验结果与讨论 | 第67-73页 |
| 5.7.1 MASS四元共聚物的结构分析 | 第67-68页 |
| 5.7.2 合成条件对硅垢防垢率的影响 | 第68-71页 |
| 5.7.3 MASS四元共聚物的硅垢防垢率的影响因素 | 第71-72页 |
| 5.7.4 MASS四元共聚物的钙垢防垢率的测定 | 第72-73页 |
| 5.7.5 MASS四元共聚物加入前后垢样扫描电镜图及防垢机理 | 第73页 |
| 5.8 本章小结 | 第73-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 发表文章目录 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 详细摘要 | 第83-89页 |
