| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-33页 |
| 第一节 纳米微粒与纳米晶 | 第9-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第9-12页 |
| ·量子效率 | 第12页 |
| ·半导体纳米晶的荧光性质及荧光共振能量转移（FRET） | 第12-14页 |
| 第二节 纳米晶的合成方法 | 第14-22页 |
| ·有机金属法 | 第15-17页 |
| ·有机“绿色化学”法 | 第17-18页 |
| ·巯基水相法 | 第18-20页 |
| ·以聚合物为配体合成纳米晶 | 第20-22页 |
| 第三节 纳米晶的生长机制 | 第22-25页 |
| ·OR 生长 | 第23页 |
| ·碰撞生长 | 第23-24页 |
| ·Smoluchowski（斯莫鲁科夫斯基）模型 | 第24-25页 |
| 第四节 基于纳米晶的光电器件 | 第25-29页 |
| ·太阳能电池 | 第25-28页 |
| ·DNA 检测器件 | 第28-29页 |
| 第五节 聚合物的链运动 | 第29-32页 |
| ·自由体积理论 | 第30页 |
| ·聚合物摩尔质量对T_g 的影响 | 第30-31页 |
| ·聚合物链交联对T_g 的影响 | 第31-32页 |
| 第六节 本论文的选题及设计思路 | 第32-33页 |
| 第二章 利用up-to-down的方法构筑CdTe纳米晶-PLA荧光纳米线 | 第33-52页 |
| 第一节 实验部分 | 第34-36页 |
| ·实验试剂 | 第34页 |
| ·测试仪器 | 第34页 |
| ·样品合成 | 第34-35页 |
| ·CdTe 纳米晶的相转移 | 第35页 |
| ·CdTe 纳米晶-聚乳酸（聚乳酸与聚苯乙烯混合物）纳米纤维的制备 | 第35-36页 |
| ·纳米纤维的刻蚀 | 第36页 |
| 第二节 对纯PLA纳米纤维的刻蚀 | 第36-42页 |
| ·刻蚀时间的影响 | 第36-40页 |
| ·结晶温度的影响 | 第40-41页 |
| ·乙二胺浓度的影响 | 第41-42页 |
| 第三节 对掺有CdTe纳米晶的电纺丝膜进行刻蚀 | 第42-50页 |
| ·CdTe 纳米晶的表征 | 第43-44页 |
| ·CdTe 纳米晶-PLA 电纺丝膜的刻蚀 | 第44-46页 |
| ·用乙二胺将CdTe 纳米晶-PLA& PS 电纺丝膜的刻蚀 | 第46-48页 |
| ·用NaOH 将CdTe 纳米晶-PLA&PS 电纺丝膜的刻蚀 | 第48-50页 |
| 第四节 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 利用聚合物基质调节纳米晶生长 | 第52-74页 |
| 第一节 实验部分 | 第53-55页 |
| ·实验试剂 | 第53页 |
| ·测试仪器 | 第53-54页 |
| ·样品合成 | 第54页 |
| ·CdTe 纳米晶的相转移 | 第54页 |
| ·聚合物膜的制备以及热处理 | 第54-55页 |
| 第二节 CdTe纳米晶合成条件对其在复合膜中生长的影响 | 第55-73页 |
| ·CdTe 纳米晶合成条件的影响 | 第60-63页 |
| ·配体影响 | 第60-61页 |
| ·Cd~(2+)与MPA 比例影响 | 第61-62页 |
| ·温度影响 | 第62-63页 |
| ·聚合物基底种类的影响 | 第63-73页 |
| ·重复单元的影响 | 第64-68页 |
| ·分子链结构的影响 | 第68-73页 |
| 第三节 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 摘要 | 第87-90页 |
| Abstract | 第90-91页 |
