| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 1 综述 | 第14-26页 |
| ·片式熔断器的发展概况 | 第14-15页 |
| ·低温共烧材料（LTCC）的发展 | 第15-18页 |
| ·低温共烧陶瓷工艺流程和关键技术 | 第18-19页 |
| ·低温共烧陶瓷(LTCC)的特性和种类 | 第19-23页 |
| ·低温共烧陶瓷基板的特性 | 第19-20页 |
| ·低温共烧陶瓷材料的种类 | 第20-23页 |
| ·课题研究的意义和内容 | 第23-25页 |
| ·课题研究的意义 | 第23页 |
| ·课题研究的内容 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 2 实验过程及性能测试 | 第26-35页 |
| ·实验使用的主要原料和设备 | 第26-28页 |
| ·主要原料 | 第26页 |
| ·主要实验和分析测试设备 | 第26-28页 |
| ·测试试样制备方法 | 第28-32页 |
| ·陶瓷/玻璃复合材料基板样品的制备 | 第28-32页 |
| ·晶体结构测定样品的制备 | 第32页 |
| ·晶体结构测定样品的制备 | 第32页 |
| ·共烧样品的制备 | 第32页 |
| ·样品性能测试方法 | 第32-34页 |
| ·样品的密度和收缩率的测量 | 第32-33页 |
| ·样品晶体结构、相组织及能谱分析 | 第33-34页 |
| ·样品电学性能的测试 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 熔断器基板材料的选择和优化 | 第35-48页 |
| ·实验方案 | 第37-38页 |
| ·基板材料的配方 | 第38-40页 |
| ·选择基板材料的方法 | 第40页 |
| ·单一基板材料的性能研究 | 第40-47页 |
| ·烧结温度对基板体积密度和线性收缩率的影响 | 第40-41页 |
| ·不同烧结温度下基板的物相分析 | 第41-43页 |
| ·不同烧结温度下基板的断口微观形貌 | 第43-45页 |
| ·烧结温度对基板介电性能的影响 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 AL_2O_3 陶瓷复合基板材料的制备和性能研究 | 第48-64页 |
| ·玻璃/AL_2O_3 陶瓷复合基板材料的成分配比选择 | 第48页 |
| ·主要添加剂的性能 | 第48-50页 |
| ·玻璃/AL_2O_3 陶瓷复合基板材料的混合工艺 | 第50页 |
| ·不同配比玻璃/AL_2O_3 陶瓷复合基板材料的性能分析 | 第50-60页 |
| ·不同玻璃/Al_2O_3 配比的密度、收缩率分析曲线 | 第50-51页 |
| ·不同玻璃/Al_2O_3 配比的相组织和相变过程 | 第51-53页 |
| ·不同玻璃/Al_2O_3 配比的微观形貌 | 第53-54页 |
| ·同温度下陶瓷样品的断面微观形貌图 | 第54-57页 |
| ·添加剂对样品介电性能的影响 | 第57-59页 |
| ·样品介电性能的频率特性 | 第59-60页 |
| ·同配方下介电性能随着温度变化特性 | 第60-61页 |
| ·温时间对表观物理性能的影响 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 5 陶瓷样品烧结温度场的分析模拟 | 第64-69页 |
| ·烧结曲线的拟定以及存在的缺陷 | 第64页 |
| ·使用ANSYS 分析软件检验烧结曲线的理论依据 | 第64-65页 |
| ·ANSYS 软件热分析过程 | 第65-69页 |
| ·ANSYS 分析软件介绍 | 第65页 |
| ·ANSYS 模型建立和求解 | 第65-69页 |
| 6 熔断器基板材料与熔断单元的共烧 | 第69-74页 |
| ·导电浆料的选择性能要求 | 第69-70页 |
| ·共烧实验过程 | 第70-72页 |
| ·基板材料与银导电界面共烧微观结构结果分析及改良方法 | 第72-74页 |
| 7 课题总结和展望 | 第74-76页 |
| ·论文总结 | 第74-75页 |
| ·研究展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第80-81页 |
