| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-48页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 气体传感器简介 | 第13-14页 |
| 1.3 纳米气体传感器简介 | 第14-16页 |
| 1.4 基于一维纳米材料的电学气体传感器 | 第16-37页 |
| 1.4.1 化学电阻式气体传感器 | 第16-27页 |
| 1.4.2 场效应管式气体传感器 | 第27-29页 |
| 1.4.3 电容及外差振荡式气体传感器 | 第29-32页 |
| 1.4.4 场致离子化气体传感器 | 第32-37页 |
| 1.5 硅纳米线阵列的制备 | 第37-46页 |
| 1.5.1 金属催化剂 | 第40-42页 |
| 1.5.2 氧化剂 | 第42-43页 |
| 1.5.3 硅片本身性质 | 第43-45页 |
| 1.5.4 温度与光照 | 第45-46页 |
| 1.6 本课题研究的主要内容 | 第46-48页 |
| 第二章 尖端接触型硅纳米线阵列的气体传感研究 | 第48-70页 |
| 2.1 引言 | 第48-49页 |
| 2.2 实验部分 | 第49-52页 |
| 2.2.1 实验材料和仪器 | 第49-50页 |
| 2.2.2 硅纳米线阵列的制备 | 第50-51页 |
| 2.2.3 尖端接触硅纳米线阵列结构的形成 | 第51页 |
| 2.2.4 材料表征和气体响应测试系统 | 第51-52页 |
| 2.2.5 气体响应数据处理 | 第52页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第52-67页 |
| 2.3.1 硅纳米线阵列刻蚀条件的选择 | 第52-56页 |
| 2.3.2 尖端接触型硅纳米线阵列结构的材料及电学表征 | 第56-59页 |
| 2.3.3 同型尖端接触结构的NO_2气体传感性能 | 第59-63页 |
| 2.3.4 尖端接触型p-n结结构的NO_2气体响应 | 第63-65页 |
| 2.3.5 尖端接触型结构的气体传感机理 | 第65-67页 |
| 2.4 本章小结 | 第67-70页 |
| 第三章 基于n-ZnO/p-Si纳米线阵列的气体传感研究 | 第70-88页 |
| 3.1 引言 | 第70-71页 |
| 3.2 实验部分 | 第71-73页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第72页 |
| 3.2.2 n-ZnO/p-Si纳米线阵列结构的制备 | 第72-73页 |
| 3.2.3 材料表征和气体测试系统 | 第73页 |
| 3.2.4 气体响应数据处理 | 第73页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第73-85页 |
| 3.3.1 n-ZnO/p-Si纳米线阵列结构的制备与表征 | 第73-77页 |
| 3.3.2 n-ZnO/p-Si纳米线阵列结构的气体传感性能 | 第77-82页 |
| 3.3.3 硅纳米线阵列-ITO结构的对照气体传感实验 | 第82-83页 |
| 3.3.4 n-ZnO/p-Si纳米线阵列结构气体识别和响应机理 | 第83-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85-88页 |
| 第四章 rGO/n-ZnO/p-Si纳米线阵列的离子化气体传感 | 第88-104页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-91页 |
| 4.2.1 实验材料与仪器 | 第89-90页 |
| 4.2.2 rGO/n-ZnO/p-Si纳米线阵列的制备 | 第90页 |
| 4.2.3 材料表征和气体测试系统 | 第90-91页 |
| 4.2.4 气体响应数据处理 | 第91页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第91-102页 |
| 4.3.1 纳米线阵列离子化电极材料的制备与表征 | 第91-93页 |
| 4.3.2 硅纳米线阵列的离子化性能 | 第93-96页 |
| 4.3.3 n-ZnO/p-Si纳米线阵列的气体电离及传感性能 | 第96-98页 |
| 4.3.4 rGO/n-ZnO/p-Si纳米线阵列的场发射性能 | 第98-101页 |
| 4.3.5 rGO/n-ZnO/p-Si纳米线阵列的场发射气体传感 | 第101-102页 |
| 4.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第五章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-122页 |
| 作者在博士期间取得的科研成果 | 第122页 |
