| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 低维半导体光电材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 一维半导体纳米结构光电性能调控研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 一维纳米结构的合成 | 第11-14页 |
| 1.2.2 一维半导体纳米结构光电性能调控 | 第14-17页 |
| 1.3 二维各向异性纳米材料的光电性质调控研究现状 | 第17-24页 |
| 1.3.1 二维层状材料的合成 | 第18-21页 |
| 1.3.2 二维半导体纳米结构光电性能调控 | 第21-24页 |
| 1.4 本文的研究思路和内容安排 | 第24-27页 |
| 第二章 样品制备和表征手段 | 第27-33页 |
| 2.1 样品制备 | 第27-29页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第27页 |
| 2.1.2 材料合成 | 第27-28页 |
| 2.1.3 光刻系统 | 第28页 |
| 2.1.4 热蒸发镀膜系统 | 第28-29页 |
| 2.2 材料表征仪器 | 第29-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第29页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第29页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 | 第30页 |
| 2.2.5 激光共聚焦微拉曼光谱仪 | 第30-31页 |
| 2.2.6 X射线粉末衍射仪 | 第31页 |
| 2.2.7 X射线光电子能谱分析 | 第31页 |
| 2.2.8 场效应晶体管及光电探测器件的性能测试平台 | 第31-33页 |
| 第三章 In_2Se_3纳米线的纵向孪晶对其宽光谱光探测性能的调控 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 孪晶In_2Se_3纳米线的可控制备与表征 | 第34-38页 |
| 3.2.1 孪晶In_2Se_3纳米线的合成 | 第34-35页 |
| 3.2.2 孪晶In_2Se_3纳米线的表征 | 第35-38页 |
| 3.3 In_2Se_3纳米线纵向孪晶对其宽光谱光探测性能的调控 | 第38-45页 |
| 3.3.1 器件制备及测试方法 | 第38-39页 |
| 3.3.2 In_2Se_3纳米线纵向孪晶对其电学性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 In_2Se_3纳米线纵向孪晶对其光电性能的影响 | 第40-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SnS纳米片的面内晶向对其红外光探测性能的调控 | 第47-58页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 SnS纳米片的可控制备与表征 | 第48-51页 |
| 4.2.1 SnS纳米片的合成 | 第48-49页 |
| 4.2.2 SnS纳米片的表征 | 第49-51页 |
| 4.3 SnS的面内晶向对其红外光探测性能的调控 | 第51-57页 |
| 4.3.1 SnS纳米片的红外光电性能 | 第51-53页 |
| 4.3.2 SnS纳米片的表面等离激元增强其红外光电性能 | 第53-55页 |
| 4.3.3 SnS纳米片的各向异性对其红外光电性能的调控 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |
