| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氧化镓的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2.1 β-Ga_2O_3的晶体结构与基本物性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 β-Ga_2O_3的光学性质 | 第12页 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3的电学性质 | 第12页 |
| 1.3 稀土的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.3.1 原子结构和物化性质 | 第13页 |
| 1.3.2 稀土离子的发光性质 | 第13-14页 |
| 1.4 稀土掺杂薄膜的相关理论基础和研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4.1 薄膜晶体缺陷 | 第14-15页 |
| 1.4.2 稀土掺杂氧化镓薄膜材料的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 研究内容和结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 实验方法及测试手段 | 第21-35页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第21-27页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第22-24页 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 | 第24-27页 |
| 2.3 薄膜的表征手段 | 第27-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| 2.3.2 紫外可见吸收谱(UV-Vis Spetra) | 第28-29页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第29-30页 |
| 2.3.4 光致发光谱技术(PL) | 第30页 |
| 2.3.5 原子力显微镜(AFM) | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 磁控溅射生长Pr掺杂β-Ga_2O_3薄膜的制备与表征 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 薄膜的生长实验流程 | 第35-37页 |
| 3.2.1 前期准备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 磁控溅射生长β-Ga_2O_3:Pr薄膜的实验流程 | 第36-37页 |
| 3.3 β-Ga_2O_3:Pr薄膜的基本性能表征 | 第37-42页 |
| 3.3.1 β-Ga_2O_3:Pr薄膜形貌表征及分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 β-Ga_2O_3:Pr薄膜的结构和光吸收特性 | 第38-40页 |
| 3.3.3 β-Ga_2O_3:Pr薄膜的XPS与PL分析 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 β-Ga_2O_3:Ce基日盲紫外光电探测器的研制 | 第45-58页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 PLD制备β-Ga_2O_3:Ce外延薄膜 | 第46页 |
| 4.3 β-Ga_2O_3:Ce薄膜的基本性质表征 | 第46-51页 |
| 4.3.1 表面形貌和结构分析 | 第47-49页 |
| 4.3.2 UV-Vis和XPS测试 | 第49-50页 |
| 4.3.3 PL测试 | 第50-51页 |
| 4.4 基于β-Ga_2O_3:Ce薄膜的日盲探测器 | 第51-54页 |
| 4.4.1 器件制备 | 第51-52页 |
| 4.4.2 器件的I-V及I-t特性 | 第52-54页 |
| 4.4.3 探测器的光电响应机理 | 第54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果列表 | 第62页 |
| 一、学术论文 | 第62页 |
| 二、参加会议 | 第62页 |
