| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 稀磁半导体的理论模型 | 第13-14页 |
| 1.2.1 束缚磁极化子 | 第13页 |
| 1.2.2 RKKY交换作用 | 第13页 |
| 1.2.3 双交换作用 | 第13-14页 |
| 1.3 ZnO晶体的基本结构和属性 | 第14-16页 |
| 1.3.1 ZnO晶体的基本结构 | 第14页 |
| 1.3.2 ZnO晶体的物理性能 | 第14-16页 |
| 1.4 ZnO的光学特性 | 第16页 |
| 1.5 ZnO的电学特性 | 第16页 |
| 1.6 ZnO的掺杂和缺陷 | 第16-19页 |
| 1.6.1 ZnO的P型掺杂 | 第16-17页 |
| 1.6.2 第一性原理研究ZnO掺杂 | 第17-18页 |
| 1.6.3 ZnO的缺陷 | 第18-19页 |
| 1.7 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.7.1 实验方面 | 第19-20页 |
| 1.7.2 理论计算 | 第20-21页 |
| 第2章 第一性原理的计算原理和方法 | 第21-28页 |
| 2.1 绝热近似 | 第21-22页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第22-24页 |
| 2.2.1 Hohengerg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第23页 |
| 2.2.3 局域密度近似和广义梯度近似 | 第23-24页 |
| 2.3 能带理论与计算 | 第24-26页 |
| 2.3.1 能带理论 | 第24页 |
| 2.3.2 布拉赫(Bloch)定理 | 第24-25页 |
| 2.3.3 平面波方法 | 第25页 |
| 2.3.4 赝势方法 | 第25页 |
| 2.3.5 能带计算过程 | 第25-26页 |
| 2.4 计算模拟软件简介 | 第26-28页 |
| 第3章 V掺杂ZnO的理论计算 | 第28-36页 |
| 3.1 模型构建和计算方法 | 第28-30页 |
| 3.1.1 模型构建 | 第28-29页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.2 结果分析与讨论 | 第30-34页 |
| 3.2.1 结构优化 | 第30-31页 |
| 3.2.2 ZnO的能带结构和态密度 | 第31-32页 |
| 3.2.3 V_(0.125)Zn_(0.875)O的能带结构和态密度 | 第32-33页 |
| 3.2.4 V掺杂ZnO的磁性 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 氮钒共掺杂ZnO的电子结构的理论计算 | 第36-43页 |
| 4.1 模型构建与计算方法 | 第36-37页 |
| 4.2 结果分析与讨论 | 第37-41页 |
| 4.2.1 结构优化 | 第37页 |
| 4.2.2 N掺杂ZnO的电子结构 | 第37-40页 |
| 4.2.3 V和N共掺杂ZnO的电子结构 | 第40-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第5章 氮钒共掺杂ZnO的光学性质 | 第43-50页 |
| 5.1 计算方法 | 第43-44页 |
| 5.2 分析结果与讨论 | 第44-48页 |
| 5.2.1 介电函数 | 第44-45页 |
| 5.2.2 吸收系数 | 第45-46页 |
| 5.2.3 反射率 | 第46-47页 |
| 5.2.4 能量损失函数 | 第47-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第6章 氧空位氧化锌的电子结构和光学性质 | 第50-59页 |
| 6.1 几何优化 | 第50-51页 |
| 6.2 氧空位氧化锌的电子结构 | 第51-54页 |
| 6.3 光学性质 | 第54-57页 |
| 6.3.1 介电函数 | 第54-55页 |
| 6.3.2 吸收系数、反射率和能量损失谱 | 第55-57页 |
| 6.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第7章 总结与展望 | 第59-62页 |
| 7.1 主要结论 | 第59-60页 |
| 7.2 工作展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 后记 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第66页 |