| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 小阶梯光栅的定义 | 第10-11页 |
| 1.3 小阶梯光栅的运用背景 | 第11-13页 |
| 1.3.1 天文望远镜小阶梯光栅光谱仪 | 第11-12页 |
| 1.3.2 透射闪耀光栅 | 第12-13页 |
| 1.4 小阶梯光栅国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.4.1 机械刻划 | 第13-15页 |
| 1.4.2 单晶硅的湿法腐蚀 | 第15-16页 |
| 1.4.3 全息离子束刻蚀 | 第16-17页 |
| 1.5 选题意义及内容安排 | 第17-20页 |
| 第二章 离子束刻蚀技术及光栅图形演化过程 | 第20-30页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 离子束刻蚀技术简介 | 第20-25页 |
| 2.2.1 离子源及其刻蚀系统 | 第21-23页 |
| 2.2.2 离子束刻蚀的常见效应 | 第23-25页 |
| 2.3 反应离子束刻蚀特性研究和光栅图形演化过程 | 第25-28页 |
| 2.3.1 石英基底的反应离子束刻蚀特性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 光栅图形的演化过程 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 低线密度小阶梯光栅的制作 | 第30-54页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 同质掩模参数的确定 | 第30-32页 |
| 3.3 全息离子束刻蚀同质掩模制作工艺流程 | 第32-36页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第36-42页 |
| 3.4.1 实验结果 | 第36-39页 |
| 3.4.2 倾斜刻蚀中再沉积对闪耀角的影响 | 第39-42页 |
| 3.5 延长刻蚀时间对光栅槽型的改变 | 第42-48页 |
| 3.5.1 30°离子束入射角继续刻蚀光栅槽型的演化 | 第42-46页 |
| 3.5.2 20°离子束入射角继续刻蚀光栅槽型的演化 | 第46-48页 |
| 3.5.3 延长刻蚀时间的效果小结 | 第48页 |
| 3.6 衍射效率的测量与分析 | 第48-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-54页 |
| 第四章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 4.1 总结 | 第54页 |
| 4.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |