摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-19页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 纳米WO_3半导体的特殊性质及应用 | 第11-14页 |
1.2.1 电致变色性能 | 第11-12页 |
1.2.2 光催化特性 | 第12-13页 |
1.2.3 气敏特性 | 第13页 |
1.2.4 光解水制氢 | 第13-14页 |
1.3 纳米氧化钨膜的制备方法 | 第14-16页 |
1.3.1 溶胶-凝胶法 | 第14页 |
1.3.2 水热法 | 第14-15页 |
1.3.3 真空蒸发沉积 | 第15页 |
1.3.4 磁控溅射 | 第15-16页 |
1.3.5 化学气相沉积 | 第16页 |
1.4 本论文的选题思路,研究内容和研究意义 | 第16-19页 |
1.4.1 选题依据和研究目的 | 第16-17页 |
1.4.2 研究内容 | 第17页 |
1.4.3 研究意义 | 第17-19页 |
第2章 氧化钨膜的可控制备研究 | 第19-26页 |
2.1 引言 | 第19页 |
2.2 实验用原料和设备 | 第19-20页 |
2.2.1 实验用原料及试剂 | 第19-20页 |
2.2.2 实验用设备 | 第20页 |
2.3 实验部分 | 第20-22页 |
2.3.1 前躯体溶液的制备 | 第20-21页 |
2.3.2 FTO器件的制备过程 | 第21页 |
2.3.3 氧化钨膜的制备 | 第21-22页 |
2.4 实验结果和讨论 | 第22-24页 |
2.4.1 不同辅助剂对产物形貌的影响 | 第22-23页 |
2.4.2 不同水热时间对产物形貌的影响 | 第23-24页 |
2.5 本章小结 | 第24-26页 |
第3章 不同热处理工艺对氧化钨膜光电性能的影响 | 第26-43页 |
3.1 引言 | 第26-27页 |
3.2 实验部分 | 第27-30页 |
3.2.1 实验用原料及设备 | 第27页 |
3.2.2 氧化钨纳米板的制备 | 第27-28页 |
3.2.3 氧化钨纳米板的表征 | 第28-30页 |
3.3 结果与讨论 | 第30-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-43页 |
第4章 氧空位和Pt的耦合作用对氧化钨膜光电性能的影响 | 第43-65页 |
4.1 引言 | 第43-45页 |
4.2 实验部分 | 第45-47页 |
4.2.1 实验用原料及设备 | 第45页 |
4.2.2 氧化钨膜的制备 | 第45-46页 |
4.2.3 表征 | 第46-47页 |
4.3 结果与讨论 | 第47-64页 |
4.3.1 氧化钨膜的表征 | 第47-54页 |
4.3.2 光电响应 | 第54-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第5章 全文总结和展望 | 第65-67页 |
5.1 全文总结 | 第65页 |
5.2 展望 | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-79页 |
附录:硕士期间已发表的研究论文 | 第79页 |