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水热法制备氧化钨膜及其光电性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-19页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 纳米WO_3半导体的特殊性质及应用第11-14页
        1.2.1 电致变色性能第11-12页
        1.2.2 光催化特性第12-13页
        1.2.3 气敏特性第13页
        1.2.4 光解水制氢第13-14页
    1.3 纳米氧化钨膜的制备方法第14-16页
        1.3.1 溶胶-凝胶法第14页
        1.3.2 水热法第14-15页
        1.3.3 真空蒸发沉积第15页
        1.3.4 磁控溅射第15-16页
        1.3.5 化学气相沉积第16页
    1.4 本论文的选题思路,研究内容和研究意义第16-19页
        1.4.1 选题依据和研究目的第16-17页
        1.4.2 研究内容第17页
        1.4.3 研究意义第17-19页
第2章 氧化钨膜的可控制备研究第19-26页
    2.1 引言第19页
    2.2 实验用原料和设备第19-20页
        2.2.1 实验用原料及试剂第19-20页
        2.2.2 实验用设备第20页
    2.3 实验部分第20-22页
        2.3.1 前躯体溶液的制备第20-21页
        2.3.2 FTO器件的制备过程第21页
        2.3.3 氧化钨膜的制备第21-22页
    2.4 实验结果和讨论第22-24页
        2.4.1 不同辅助剂对产物形貌的影响第22-23页
        2.4.2 不同水热时间对产物形貌的影响第23-24页
    2.5 本章小结第24-26页
第3章 不同热处理工艺对氧化钨膜光电性能的影响第26-43页
    3.1 引言第26-27页
    3.2 实验部分第27-30页
        3.2.1 实验用原料及设备第27页
        3.2.2 氧化钨纳米板的制备第27-28页
        3.2.3 氧化钨纳米板的表征第28-30页
    3.3 结果与讨论第30-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第4章 氧空位和Pt的耦合作用对氧化钨膜光电性能的影响第43-65页
    4.1 引言第43-45页
    4.2 实验部分第45-47页
        4.2.1 实验用原料及设备第45页
        4.2.2 氧化钨膜的制备第45-46页
        4.2.3 表征第46-47页
    4.3 结果与讨论第47-64页
        4.3.1 氧化钨膜的表征第47-54页
        4.3.2 光电响应第54-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第5章 全文总结和展望第65-67页
    5.1 全文总结第65页
    5.2 展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-79页
附录:硕士期间已发表的研究论文第79页

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