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水助法碳纳米管生长中Al2O3缓冲层的磁控溅射制备及其工艺优化

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-27页
    1.1 碳纳米管的背景介绍第8-9页
    1.2 碳纳米管的结构第9-11页
    1.3 碳纳米管的性质第11-12页
    1.4 碳纳米管的水辅助法生长第12-15页
    1.5 催化剂体系的调节作用第15-26页
    1.6 本文的选题依据及工作内容第26-27页
2 磁控溅射法制备薄膜第27-37页
    2.1 磁控溅射技术原理第27-29页
    2.2 实验试剂及仪器第29页
    2.3 实验设备第29-31页
    2.4 硅片清洗第31-32页
    2.5 磁控溅射仪的操作步骤第32-34页
    2.6 镀膜均匀性的检测第34-37页
3 射频反应磁控溅射制备Al_2O_3薄膜第37-50页
    3.1 室温沉积的Al_2O_3薄膜XRD分析第37-38页
    3.2 Al_2O_3薄膜溅射速率与工艺参数之间的关系第38-41页
    3.3 Al_2O_3薄膜的粗糙度与工艺参数的关系第41-46页
    3.4 Al_2O_3薄膜的致密度与溅射气压之间的关系第46-47页
    3.5 Al_2O_3薄膜表面的形貌第47-48页
    3.6 本章小结第48-50页
4 全文总结及展望第50-52页
    4.1 工作总结第50页
    4.2 工作展望第50-52页
致谢第52-53页
参考文献第53-57页

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