摘要 | 第2-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 半导体光催化 | 第11-12页 |
1.2.1 半导体材料的概述 | 第11页 |
1.2.2 光催化技术的机理 | 第11-12页 |
1.2.3 半导体光催化剂的研究近况 | 第12页 |
1.3 纳米SnS_2材料 | 第12-14页 |
1.3.1 SnS_2的基本性质 | 第12-13页 |
1.3.2 SnS_2光催化剂的研究进展 | 第13页 |
1.3.3 SnS_2的合成及改性 | 第13-14页 |
1.4 纳米CeO_2材料 | 第14-15页 |
1.4.1 CeO_2的基本性质 | 第14-15页 |
1.4.2 CeO_2在光催化方面的应用 | 第15页 |
1.5 聚苯胺(PANI)材料 | 第15-16页 |
1.5.1 PANI的基本性质 | 第15-16页 |
1.5.2 PANI在光催化方面的应用 | 第16页 |
1.6 论文选题的依据 | 第16-17页 |
1.7 本论文主要研究内容及创新点 | 第17-20页 |
1.7.1 主要研究内容 | 第17-18页 |
1.7.2 主要创新点 | 第18-20页 |
第二章 花状SnS_2材料的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ)的性能研究 | 第20-38页 |
2.1 引言 | 第20-21页 |
2.2 实验部分 | 第21-23页 |
2.2.1 实验所用药品及仪器设备 | 第21页 |
2.2.2 花状SnS_2材料的合成 | 第21-22页 |
2.2.3 材料的测试与表征 | 第22-23页 |
2.2.4 材料的光催化性能测试 | 第23页 |
2.3 结果与讨论 | 第23-36页 |
2.3.1 材料的组成和结构表征 | 第23-26页 |
2.3.2 材料的比表面积及孔径分布 | 第26-27页 |
2.3.3 材料的光学电学性质表征 | 第27-29页 |
2.3.4 材料的Zeta电位 | 第29-30页 |
2.3.5 材料的光催化性能研究 | 第30-36页 |
2.3.5.1 不同温度下合成的SnS_2光催化还原Cr(Ⅵ)的活性比较 | 第30-31页 |
2.3.5.2 光催化剂的用量对溶液中Cr(Ⅵ)的光催化还原速率的影响 | 第31-33页 |
2.3.5.3 SnS_2-170℃对不同pH值的Cr(Ⅵ)溶液的光催化还原活性比较 | 第33-35页 |
2.3.5.4 Sn_S2-170℃光催化还原不同浓度Cr(Ⅵ)溶液的活性比较 | 第35-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-38页 |
第三章 CeO_2/SnS_2复合材料的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ)的性能研究 | 第38-56页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 实验部分 | 第39-41页 |
3.2.1 实验所用药品及仪器设备 | 第39-40页 |
3.2.2 CeO_2/SnS_2复合材料的合成 | 第40页 |
3.2.3 材料的测试与表征 | 第40-41页 |
3.2.4 材料的光催化性能测试 | 第41页 |
3.3 结果与讨论 | 第41-54页 |
3.3.1 材料的组成和结构表征 | 第41-44页 |
3.3.2 材料的光学电学性质表征 | 第44-46页 |
3.3.3 材料的Zeta电位 | 第46-47页 |
3.3.4 材料的光催化性能研究 | 第47-54页 |
3.3.4.1 不同组成的CeO_2/SnS_2光催化还原Cr(Ⅵ)的活性比较 | 第47-48页 |
3.3.4.2 光催化剂的用量对溶液中Cr(Ⅵ)的光催化还原速率的影响 | 第48-50页 |
3.3.4.3 CeO_2/SnS_2对不同pH值的Cr(Ⅵ)溶液的光催化还原活性比较 | 第50-52页 |
3.3.4.4 CeO_2/SnS_2-1.5/1对于不同浓度Cr(Ⅵ)溶液的光催化活性比较 | 第52-53页 |
3.3.4.5 CeO_2/SnS_2-1.5/1的光催化稳定性考察 | 第53-54页 |
3.4 光催化活性增强的机理 | 第54-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
第四章 CeO_2/SnS_2/PANI复合材料的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ)的性能研究 | 第56-74页 |
4.1 引言 | 第56-57页 |
4.2 实验部分 | 第57-60页 |
4.2.1 实验所用药品及仪器设备 | 第57-58页 |
4.2.2 CeO_2/SnS_2/PAM复合材料的合成 | 第58页 |
4.2.3 材料的测试与表征 | 第58-59页 |
4.2.4 材料的光催化性能测试 | 第59-60页 |
4.3 结果与讨论 | 第60-73页 |
4.3.1 材料的组成和结构表征 | 第60-64页 |
4.3.2 材料的光学电学性质表征 | 第64-66页 |
4.3.3 材料的Zeta电位 | 第66页 |
4.3.4 材料的光催化性能研究 | 第66-73页 |
4.3.4.1 不同组成的CeO_2/SnS_2/PANI光催化还原Cr(Ⅵ)的活性比较 | 第66-68页 |
4.3.4.2 光催化剂的用量对溶液中Cr(Ⅵ)的光催化还原速率的影响 | 第68-69页 |
4.3.4.3 CeO_2/SnS_2/PANI-3%对不同pH值Cr(Ⅵ)溶液的光催化还原活性比较 | 第69-71页 |
4.3.4.4 CeO_2/SnS_2/PANI-3%对不同浓度Cr(Ⅵ)溶液的光催化活性比较 | 第71-73页 |
4.4 本章小结 | 第73-74页 |
总结 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-86页 |
硕士期间发表论文情况 | 第86-87页 |
致谢 | 第87-88页 |