| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10页 |
| 1.2 图像传感器发展史 | 第10-12页 |
| 1.3 CMOS 图像传感器 | 第12-14页 |
| 1.3.1 CMOS 图像传感器在遥感技术中的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 CMOS 图像传感器的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.4 空间辐射环境及效应 | 第14-17页 |
| 1.4.1 近地空间电离辐射环境 | 第14-16页 |
| 1.4.2 材料和器件的辐照效应 | 第16-17页 |
| 1.5 CMOS 图像传感器的辐照损伤机理 | 第17-23页 |
| 1.5.1 电离损伤效应 | 第17-20页 |
| 1.5.2 位移损伤效应 | 第20-21页 |
| 1.5.3 图像传感器的辐照损伤机理 | 第21-23页 |
| 1.6 研究目的和主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 试验器件、设备与方法 | 第25-33页 |
| 2.1 LUPA4000 图像传感器 | 第25-27页 |
| 2.1.1 LUPA4000 的主要特点 | 第25-26页 |
| 2.1.2 LUPA4000 的结构 | 第26-27页 |
| 2.2 辐照试验设备 | 第27-28页 |
| 2.2.1 Co60 辐照源 | 第27页 |
| 2.2.2 电子加速器 | 第27-28页 |
| 2.3 退火设备 | 第28页 |
| 2.4 CMOS 图像传感器的性能测试 | 第28-33页 |
| 2.4.1 性能测试装置 | 第28页 |
| 2.4.2 主要性能参数 | 第28-29页 |
| 2.4.3 测试原理及过程 | 第29-33页 |
| 第3章 CMOS 图像传感器的g射线辐照效应 | 第33-47页 |
| 3.1 CMOS 图像传感器性能参数随辐照剂量的变化规律 | 第33-38页 |
| 3.1.1 暗信号变化规律 | 第33-34页 |
| 3.1.2 响应非均匀性变化规律 | 第34-35页 |
| 3.1.3 读出总噪声变化规律 | 第35页 |
| 3.1.4 信噪比变化规律 | 第35-36页 |
| 3.1.5 固定模式图形噪声变化规律 | 第36-37页 |
| 3.1.6 坏点变化规律 | 第37-38页 |
| 3.2 退火效应 | 第38-45页 |
| 3.2.1 暗信号变化规律 | 第38-40页 |
| 3.2.2 响应非均匀性变化规律 | 第40-42页 |
| 3.2.3 读出总噪声变化规律 | 第42-43页 |
| 3.2.4 坏点变化规律 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 CMOS 图像传感器的电子辐照效应 | 第47-59页 |
| 4.1 试验方案确定 | 第47-48页 |
| 4.2 CMOS 图像传感器性能参数随辐照注量的变化规律 | 第48-53页 |
| 4.2.1 暗信号变化规律 | 第48-50页 |
| 4.2.2 响应非均匀性变化规律 | 第50页 |
| 4.2.3 读出总噪声变化规律 | 第50-51页 |
| 4.2.4 信噪比变化规律 | 第51-52页 |
| 4.2.5 固定模式图形噪声变化规律 | 第52页 |
| 4.2.6 坏点变化规律 | 第52-53页 |
| 4.3 退火效应 | 第53-58页 |
| 4.3.1 暗信号变化规律 | 第53-54页 |
| 4.3.2 读出总噪声变化规律 | 第54-55页 |
| 4.3.3 响应非均匀性变化规律 | 第55-57页 |
| 4.3.4 坏点变化规律 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 CMOS 图像传感器的电离损伤机理 | 第59-67页 |
| 5.1 CMOS 图像传感器的电离损伤 | 第59-63页 |
| 5.1.1 电离效应对图像传感器的影响分析 | 第59-60页 |
| 5.1.2 光敏二极管的电离损伤 | 第60-63页 |
| 5.1.3 其它晶体管的电离损伤 | 第63页 |
| 5.2 γ射线与电子辐照效应比较 | 第63-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
