| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·移相器的概念及用途 | 第8-10页 |
| ·国内外的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文的研究内容和结构 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体开关控制器件的基本原理 | 第13-25页 |
| ·PIN二极管 | 第13-17页 |
| ·PIN二极管的基本结构 | 第13-14页 |
| ·PIN二极管的工作原理 | 第14-15页 |
| ·PIN二极管的开关模型分析 | 第15-17页 |
| ·砷化镓金属-半导体场效应管(GaAs MESFET) | 第17-23页 |
| ·GaAs MESFET的基本结构 | 第17-18页 |
| ·GaAs MESFET的工作原理 | 第18-21页 |
| ·GaAs MESFET的开关模型分析 | 第21-23页 |
| ·高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第23-25页 |
| ·HEMT的结构 | 第23-24页 |
| ·HEMT的工作原理 | 第24页 |
| ·HEMT的开关模型分析 | 第24-25页 |
| 第三章 数字移相器的基本原理 | 第25-38页 |
| ·移相的基本原理 | 第25-27页 |
| ·绝对相移和相对相移 | 第25-26页 |
| ·相移的基本原理 | 第26-27页 |
| ·移相器的主要指标 | 第27-29页 |
| ·各种类型数字移相器的电路结构和分析 | 第29-37页 |
| ·开关线型移相器 | 第29-31页 |
| ·加载线型移相器 | 第31-34页 |
| ·反射型移相器 | 第34-37页 |
| ·各类移相器的特点 | 第37-38页 |
| 第四章 五位数字移相器的基本单元设计 | 第38-59页 |
| ·Ku波段五位数字移相器的设计准备 | 第38-42页 |
| ·设计指标 | 第38-39页 |
| ·开关器件的选择 | 第39-42页 |
| ·基板的选择 | 第42页 |
| ·仿真平台介绍 | 第42页 |
| ·五位移相器的总体设计方案 | 第42-59页 |
| ·11.25°和22.5°移相器的仿真与优化 | 第43-49页 |
| ·45°、90°和180°移相器的仿真与优化 | 第49-59页 |
| 第五章 移相器的整体仿真验证和版图制作 | 第59-63页 |
| ·五位移相器级联仿真 | 第59-61页 |
| ·五位移相器的版图制作 | 第61-63页 |
| 第六章 总结和展望 | 第63-65页 |
| ·本文主要完成的工作 | 第63-64页 |
| ·本文的不足和展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第69页 |