| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第9-52页 |
| 1.1 前言 | 第9页 |
| 1.2 电致发光器件进展 | 第9-27页 |
| 1.2.1 OLED材料的发光原理 | 第10-13页 |
| 1.2.2 三线态反系间蹿越(reverse intersystem crossing, RISC)材料 | 第13-20页 |
| 1.2.2.1 强分子间电荷转移(charge-transfer, CT)性质的TADF分子 | 第14-15页 |
| 1.2.2.2 强分子内电荷转移(charge-transfer, CT)性质的TADF分子 | 第15-17页 |
| 1.2.2.3 Δ_(EST)（T-S能隙）几乎为零的TADF分子 | 第17-19页 |
| 1.2.2.4 TADF材料分子设计思想总结 | 第19-20页 |
| 1.2.3 杂化局域-电荷转移(hybrided local charge-transfer)激发态材料 | 第20-27页 |
| 1.2.3.1 CT态对有机共轭荧光材料电致发光性能的影响 | 第20-23页 |
| 1.2.3.2 高能级(S_n-T_m)热激子理论 | 第23-27页 |
| 1.2.3.3 HLCT材料设计思想总结 | 第27页 |
| 1.3 蒽中心发光衍生物改性类型 | 第27-50页 |
| 1.3.1 中心线型或交叉共轭蒽衍生物 | 第28-44页 |
| 1.3.1.1 乙烯基共轭桥蒽衍生物的光电性能 | 第28-34页 |
| 1.3.1.2 乙炔基和苯基桥对光电性能的影响 | 第34-39页 |
| 1.3.1.4 苯基共轭桥蒽衍生物的光电性质 | 第39-44页 |
| 1.3.2 骨架架构及共轭桥对光电性质影响的总结 | 第44-45页 |
| 1.3.3 回旋结构对光电性质对影响 | 第45-49页 |
| 1.3.4 回旋交叉结构对光电性质对影响总结 | 第49-50页 |
| 1.4 本文设计思想 | 第50-52页 |
| 第二章 实验药品及仪器 | 第52-57页 |
| 2.1 实验药品 | 第52-53页 |
| 2.2 实验仪器 | 第53-54页 |
| 2.3 试剂处理 | 第54页 |
| 2.4 压致变色和回复实验 | 第54-55页 |
| 2.5 荧光量子效率测试方法 | 第55页 |
| 2.6 单晶培养方法 | 第55-57页 |
| 第三章 APM和APPO设计合成及其光学基本性质的研究 | 第57-65页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 合成路径 | 第57-58页 |
| 3.3 合成步骤 | 第58-60页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 3.4.1 核磁氢谱和热化学性质表征 | 第60-61页 |
| 3.4.2 材料的光学稳定性 | 第61-62页 |
| 3.4.3 材料的形态稳定性 | 第62-63页 |
| 3.4.4 材料的单晶结构验证 | 第63-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 APTBP和APTPA设计合成及其光学基本性质的研究 | 第65-73页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 合成路径 | 第65-66页 |
| 4.3 合成步骤 | 第66-68页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第68-72页 |
| 4.4.1 核磁和热化学性质表征 | 第68-69页 |
| 4.4.2 材料的光学稳定性 | 第69-70页 |
| 4.4.3 材料的形态稳定性 | 第70-71页 |
| 4.4.4 材料的电子传输性能 | 第71-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 全文总结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
