Cu-Ge及Cu-Ge-M系功能薄膜的制备与表征
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 Cu的性能特点及应用 | 第8-9页 |
| 1.1.1 纯Cu的主要特点 | 第8页 |
| 1.1.2 Cu的应用与问题 | 第8-9页 |
| 1.2 常见的提高Cu稳定性方法 | 第9-11页 |
| 1.2.1 扩散阻挡层 | 第9页 |
| 1.2.2 无扩散阻挡层 | 第9-11页 |
| 1.3 Cu-Ge合金 | 第11-14页 |
| 1.3.1 Cu-Ge二元薄膜 | 第12-14页 |
| 1.3.2 Cu-Ge-M多元合金 | 第14页 |
| 1.4 Cu合金中的扩散 | 第14-19页 |
| 1.4.1 扩散激活能与扩散系数 | 第15页 |
| 1.4.2 扩散的影响因素 | 第15-17页 |
| 1.4.3 Cu合金薄膜中的扩散现象 | 第17-19页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第19-20页 |
| 2 薄膜制备工艺与分析方法 | 第20-29页 |
| 2.1 Cu-Ge-(M)合金薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第20-21页 |
| 2.1.2 Cu-Ge-(M)合金薄膜的制备工艺 | 第21-22页 |
| 2.1.3 退火设备 | 第22页 |
| 2.2 Cu-Ge-(M)合金薄膜的分析 | 第22-29页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析 | 第23-24页 |
| 2.2.2 薄膜电阻率分析 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜微结构分析 | 第25-27页 |
| 2.2.4 薄膜硬度分析 | 第27-29页 |
| 3 固溶态Cu-Ge及Cu-Ge-M薄膜 | 第29-42页 |
| 3.1 Cu-Ge二元薄膜成分及微结构分析 | 第29-33页 |
| 3.1.1 薄膜成分分析 | 第29-30页 |
| 3.1.2 薄膜TEM结果分析 | 第30-33页 |
| 3.2 Cu-Ge-M三元薄膜的分析 | 第33-41页 |
| 3.2.1 薄膜成分分析 | 第33-36页 |
| 3.2.2 薄膜TEM结果分析 | 第36页 |
| 3.2.3 薄膜XRD结果分析 | 第36-40页 |
| 3.2.4 薄膜电阻率结果分析 | 第40-41页 |
| 3.3 小结 | 第41-42页 |
| 4 化合态Cu-Ge薄膜 | 第42-53页 |
| 4.1 薄膜成分分析 | 第42页 |
| 4.2 薄膜XRD结果分析 | 第42-46页 |
| 4.3 薄膜电阻率结果分析 | 第46-47页 |
| 4.4 薄膜硬度结果分析 | 第47-49页 |
| 4.5 薄膜TEM结果分析 | 第49-52页 |
| 4.6 小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
