| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 选通型像增强器与高速成像 | 第12页 |
| 1.3 国内外发展现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 第2章 像增强系统及驱动技术 | 第15-25页 |
| 2.1 像增强系统的组成 | 第15页 |
| 2.2 像增强管芯的基本结构与工作原理 | 第15-17页 |
| 2.3 选通驱动技术 | 第17-18页 |
| 2.4 结构分析与仿真 | 第18-21页 |
| 2.4.1 场分析 | 第18-21页 |
| 2.4.2 路分析 | 第21页 |
| 2.5 管芯驱动电路 | 第21-22页 |
| 2.5.1 阳极 | 第22页 |
| 2.5.2 MCP | 第22页 |
| 2.5.3 光阴极 | 第22页 |
| 2.6 噪声与制冷 | 第22-23页 |
| 2.7 本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 纳秒级选通脉冲形成电路的设计、仿真与实现 | 第25-53页 |
| 3.1 选通脉冲形成电路的基本原理 | 第25页 |
| 3.2 高速高压开关 | 第25-32页 |
| 3.2.1 真空器件 | 第26-28页 |
| 3.2.2 固体器件 | 第28-32页 |
| 3.2.2.1 功率型MOSFET | 第30-31页 |
| 3.2.2.2 雪崩三极管 | 第31-32页 |
| 3.3 基本MOSFET 脉冲电路的分析 | 第32-38页 |
| 3.3.1 简化的MOSFET 脉冲响应分析 | 第32-35页 |
| 3.3.2 功率MOSFET 的驱动 | 第35-38页 |
| 3.3.2.1 输入电容的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2.2 栅极电荷与导通时间 | 第36-38页 |
| 3.4 双MOSFET 组成的CASCODE 电路 | 第38-46页 |
| 3.4.1 开关性能分析 | 第40-43页 |
| 3.4.1.1 导通时间分析 | 第40-42页 |
| 3.4.1.2 关断时间分析 | 第42-43页 |
| 3.4.1.3 脉冲宽度与重复频率分析 | 第43页 |
| 3.4.2 仿真与实测 | 第43-46页 |
| 3.5 后沿加速电路 | 第46-50页 |
| 3.5.1 基本思想 | 第46-47页 |
| 3.5.2 PMOS 的栅极驱动 | 第47-48页 |
| 3.5.3 仿真与实测 | 第48-50页 |
| 3.6 信号源的设计 | 第50-51页 |
| 3.7 负载匹配 | 第51-52页 |
| 3.8 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 亚纳秒高压脉冲方案的设计与实现 | 第53-61页 |
| 4.1 基于PFN 的超窄脉冲系统 | 第53-54页 |
| 4.2 基于水银继电器的方案 | 第54-58页 |
| 4.2.1 测量要求与结果 | 第55-58页 |
| 4.2.1.1 示波器的影响 | 第55-57页 |
| 4.2.1.2 分压网络 | 第57页 |
| 4.2.1.3 实测结果 | 第57-58页 |
| 4.3 基于雪崩三极管的方案 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66页 |