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单片式电源管理芯片设计

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·论文的研究意义第9-10页
   ·国内外发展动态第10-12页
   ·本文主要工作第12-14页
第二章 700V 高压器件的设计第14-34页
   ·基于体硅工艺的LDMOS 和LIGBT 的比较第14-20页
   ·高压器件的设计第20-34页
     ·工艺方案确定及衬底材料选取第20-22页
     ·700V LDMOS 设计第22-27页
     ·JFET 设计第27-30页
     ·结终端设计第30-34页
第三章 电路结构设计与原理分析第34-62页
   ·芯片整体功能结构第34-41页
     ·TNY264 的电路结构第34页
     ·单元电路组成第34-35页
     ·TNY264 信号线说明第35-37页
     ·TNY264 工作原理第37-41页
   ·基准电压源设计第41-46页
     ·基准端口信息第41-43页
     ·基准电压源电路分析及仿真结果第43-46页
   ·振荡器设计第46-51页
     ·振荡器端口信息第47-49页
     ·振荡器电路分析及仿真结果第49-51页
   ·前沿闭锁、电流极限比较器设计第51-56页
     ·电流极限比较器端口信息第52-53页
     ·前沿闭锁、电流极限比较器电路分析及仿真结果第53-56页
   ·5.8V 调整器第56-62页
第四章 应用电路设计第62-69页
   ·开关电源的调制方式第62-64页
   ·应用电路设计第64-69页
     ·应用电路工作模式简介第64-65页
     ·应用电路分析与设计第65-67页
     ·实际电路测试数据第67-69页
第五章 结论第69-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-73页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第73-74页

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