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甲烷浓度和晶向偏离角对金刚石单晶生长影响的研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-22页
    1.1 人工合成金刚石技术的发展第9-10页
    1.2 金刚石的基本结构第10页
    1.3 金刚石的类型第10-11页
    1.4 金刚石的性质及其相应的应用第11-13页
        1.4.1 力学、声学性质及相应的应用第11-12页
        1.4.2 热学性质及应用第12页
        1.4.3 光学性质及应用第12-13页
        1.4.4 电学、化学性质及相应的应用第13页
        1.4.5 其他性质及相应的应用第13页
    1.5 化学气相沉积 CVD 法第13-15页
        1.5.1 MPCVD 法的过程与原理第14页
        1.5.2 CVD 金刚石过程中各基团之间的反应第14-15页
    1.6 CVD 金刚石单晶晶体缺陷类型第15-17页
        1.6.1 点缺陷第15-16页
        1.6.2 线缺陷第16-17页
        1.6.3 面缺陷和体缺陷第17页
    1.7 CVD 过程中影响金刚石单晶生长的主要参数第17-20页
        1.7.1 籽晶衬底的预处理的作用第17-18页
        1.7.2 偏离角的作用第18-19页
        1.7.3 沉积温度的作用第19页
        1.7.4 N_2的作用第19-20页
        1.7.5 O_2的作用第20页
    1.8 选题及主要研究内容第20-22页
第二章 金刚石单晶生长设备及表征技术第22-24页
    2.1 本文的实验设备第22-23页
    2.2 本文采用的表征方法第23-24页
        2.2.1 金相显微镜第23页
        2.2.2 光发射谱第23页
        2.2.3 扫描电子显微镜第23页
        2.2.4 激光拉曼光谱第23页
        2.2.5 光致发光光谱第23-24页
第三章 甲烷浓度对金刚石单晶生长的影响第24-37页
    3.1 引言第24页
    3.2 O_2对金刚石单晶生长的影响第24-27页
        3.2.1 实验条件第24-25页
        3.2.2 O_2对生长速率的影响第25页
        3.2.3 O_2对金刚石表面形貌的影响第25-26页
        3.2.4 O_2对晶体质量的影响第26-27页
        3.2.5 O_2对氮含量的影响第27页
    3.3 CH_4浓度对金刚石单晶的生长影响第27-35页
        3.3.1 实验条件第28页
        3.3.2 CH_4浓度对生长速率的影响第28-30页
        3.3.3 不同 CH_4浓度的 OES第30-31页
        3.3.4 CH_4浓度对晶体质量的影响第31-32页
        3.3.5 CH_4浓度对样品氮含量的影响第32页
        3.3.6 CH_4浓度对金刚石表面形貌的影响第32-35页
    3.4 本章小结第35-37页
第四章 晶向偏离角对金刚石单晶生长的影响第37-42页
    4.1 引言第37页
    4.2 实验条件第37页
    4.3 off-axis 角对生长速率的影响第37-38页
    4.4 off-axis 角对晶体质量的影响第38-40页
    4.5 off-axis 角对表面形貌的影响第40-41页
    4.6 本章小结第41-42页
第五章 全文总结第42-44页
参考文献第44-50页
作者简介第50-51页
致谢第51页

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