| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物材料的缺陷结构表征 | 第13-26页 |
| 1.2.1 扫描透射电子显微镜成像原理 | 第14-16页 |
| 1.2.2 二维TMDs材料中的点缺陷 | 第16-22页 |
| 1.2.3 二维TMDs材料中的晶界和边缘 | 第22-25页 |
| 1.2.4 二维TMDs材料中的起伏和褶皱(ripple) | 第25-26页 |
| 1.3 二维过渡金属硫族化合物材料中的结构调控 | 第26-31页 |
| 1.3.1 二维TMDs材料的合金化 | 第26-28页 |
| 1.3.2 二维TMDs材料的氧化刻蚀 | 第28-31页 |
| 1.4 二维过渡金属硫族化合物材料的性质与应用 | 第31-36页 |
| 1.4.1 二维TMDs材料的电子学性质 | 第31-32页 |
| 1.4.2 二维TMDs材料的光学性质 | 第32-34页 |
| 1.4.3 二维TMDs材料的应用 | 第34-36页 |
| 1.4.3.1 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET) | 第34-35页 |
| 1.4.3.2 析氢催化 | 第35-36页 |
| 1.5 实验装置和设备 | 第36-37页 |
| 1.6 课题研究目的与意义 | 第37-38页 |
| 第二章 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的Se原子占位分析 | 第38-55页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 二维过渡金属硫族化合物材料的制备和转移 | 第38-43页 |
| 2.2.1 二维TMDs材料的化学气相沉积法制备 | 第38-41页 |
| 2.2.2 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的化学气相沉积法制备和转移 | 第41-43页 |
| 2.3 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的结构表征 | 第43-49页 |
| 2.3.1 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的形貌分析 | 第43-44页 |
| 2.3.2 单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的原子结构表征 | 第44-46页 |
| 2.3.3 晶界角度依赖的Se原子优先占位 | 第46-49页 |
| 2.4 单层MoS_2中Se原子掺杂的第一性原理计算 | 第49-53页 |
| 2.4.1 Se原子在单层MoS_2晶畴中的掺杂 | 第49-51页 |
| 2.4.2 Se原子在单层MoS_2晶界中的掺杂 | 第51-53页 |
| 2.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第三章 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的电子显微分析 | 第55-75页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的制备和转移 | 第56-57页 |
| 3.3 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的结构表征 | 第57-70页 |
| 3.3.1 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的形貌分析和元素信息确认 | 第57-60页 |
| 3.3.2 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中Te的占位类型 | 第60-61页 |
| 3.3.3 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中温度依赖的Te浓度 | 第61-64页 |
| 3.3.4 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金的合金化程度分析 | 第64-67页 |
| 3.3.5 单层MoS_(2(1-x))Te_(2x)合金中的结构畸变 | 第67-70页 |
| 3.4 单层MoS_2中Te原子掺杂的第一性原理计算 | 第70-73页 |
| 3.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 单层MoS_2材料的氧化刻蚀 | 第75-88页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的制备和氧化刻蚀 | 第76-79页 |
| 4.2.1 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的化学气相沉积法制备 | 第76-78页 |
| 4.2.2 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的氧化刻蚀 | 第78-79页 |
| 4.3 基于石墨烯衬底的单层MoS_2的氧化刻蚀机理探究 | 第79-85页 |
| 4.3.1 单层MoS_2晶畴边缘的氧化刻蚀 | 第79-82页 |
| 4.3.2 单层MoS_2晶畴内部的氧化刻蚀 | 第82-83页 |
| 4.3.3 单层MoS_2晶界的氧化刻蚀 | 第83-85页 |
| 4.4 硅衬底的单层MoS_2/MoSe_2的氧化刻蚀 | 第85-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 总结和展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 个人简历 | 第104-106页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和专利 | 第106-107页 |
