| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-16页 |
| 1.1.1 半导体纳米材料及其性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 半导体纳米线及其应用 | 第11-13页 |
| 1.1.3 半导体纳米线pn结及其应用 | 第13-16页 |
| 1.2 论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 纳米线的制备与表征方法 | 第18-38页 |
| 2.1 生长机制 | 第18-19页 |
| 2.2 生长方法 | 第19-30页 |
| 2.2.1 气-液-固(VLS)生长机制 | 第20-26页 |
| 2.2.2 VS(气-固)生长机制 | 第26-27页 |
| 2.2.3 金属有机化学气相沉积外延技术 | 第27-30页 |
| 2.3 纳米线的表征方法 | 第30-36页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜技术 | 第30-32页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜技术 | 第32-34页 |
| 2.3.3 光致发光谱 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 基于扩散方程的纳米线生长模型 | 第38-59页 |
| 3.1 纳米线生长的扩散模型 | 第38-40页 |
| 3.1.1 纳米线的生长模型对比 | 第38-40页 |
| 3.1.2 纳米线生长的动力学过程 | 第40页 |
| 3.2 不考虑侧面成核情况下MOCVD纳米线生长速率与半径的关系 | 第40-46页 |
| 3.3 考虑侧面成核MOCVD下纳米线生长的形貌方程 | 第46-51页 |
| 3.4 侧面成核形貌曲线的研究 | 第51-54页 |
| 3.5 结果分析 | 第54-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 GaAs纳米线轴向pn结实验研究 | 第59-76页 |
| 4.1 Ⅲ-Ⅴ纳米线各类型pn结的研究进展 | 第59-69页 |
| 4.1.1 衬底-纳米线型pn结纳米线 | 第59-60页 |
| 4.1.2 径向pn结纳米线 | 第60-63页 |
| 4.1.3 轴向pn结纳米线 | 第63-69页 |
| 4.2 轴向pn结纳米线的生长实验及其测试方案 | 第69-74页 |
| 4.2.1 纳米线制备方案 | 第69-70页 |
| 4.2.2 轴向pn结纳米线电学特性的测量方案 | 第70-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第78页 |