| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 SiC材料综述 | 第11-22页 |
| 1.1.1 SiC材料的结构与性能 | 第11-14页 |
| 1.1.2 一维SiC材料的性能 | 第14-16页 |
| 1.1.3 一维SiC材料的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.1.4 一维SiC材料的生长机制 | 第20-22页 |
| 1.2 熔融盐及熔盐法的发展 | 第22-26页 |
| 1.2.1 熔融盐简介 | 第22-23页 |
| 1.2.2 熔盐法的原理及优点 | 第23-24页 |
| 1.2.3 熔盐法的应用 | 第24-26页 |
| 1.3 本课题选题背景及研究内容 | 第26-28页 |
| 1.3.1 选题背景 | 第26-27页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第27-28页 |
| 2 实验方案 | 第28-33页 |
| 2.1 实验原料 | 第28页 |
| 2.2 实验设备 | 第28页 |
| 2.3 实验内容及步骤 | 第28-29页 |
| 2.4 表征方法 | 第29-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 | 第29-30页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜 | 第30页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.4.4 热重-差热分析 | 第31页 |
| 2.4.5 傅里叶变换红外光谱仪 | 第31页 |
| 2.4.6 光致发光谱 | 第31-33页 |
| 3 熔盐辅助气相沉积法制备一维SiC/SiO_2异质结构 | 第33-58页 |
| 3.1 熔盐种类及比例对合成SiC/SiO_2异质结构的影响 | 第33-39页 |
| 3.1.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第33-34页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第34-39页 |
| 3.2 熔盐加入量对SiC/SiO_2异质结构合成的影响 | 第39-43页 |
| 3.2.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第39页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 3.3 合成温度及保温时间对SiC/SiO_2异质结构合成的影响 | 第43-57页 |
| 3.3.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第43页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第43-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 4 复合硅源制备一维SiC/SiO_2异质结构 | 第58-69页 |
| 4.1 硅源的复合比例对合成一维SiC/SiO_2异质结构的影响 | 第58-60页 |
| 4.1.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第58-59页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第59-60页 |
| 4.2 熔盐加入量对合成一维SiC/SiO_2异质结构的影响 | 第60-64页 |
| 4.2.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第60页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 4.3 合成温度对一维SiC/SiO_2异质结构的影响 | 第64-67页 |
| 4.3.1 一维SiC/SiO_2异质结构的制备 | 第64页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 5 一维SiC/SiO_2异质结构的热力学计算及生长机理分析 | 第69-76页 |
| 5.1 热力学计算 | 第69-72页 |
| 5.1.1 热力学计算理论 | 第69-70页 |
| 5.1.2 反应焓变与吉布斯自由能变计算 | 第70-72页 |
| 5.2 生长机理分析 | 第72-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 6 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间学术成果及个人荣誉 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
