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GaN(0001)缺陷表面诱导生长STO薄膜的理论研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
1 概述第8-11页
    1.1 研究背景及意义第8-9页
    1.2 GaN表面缺陷的研究第9-11页
2 基本原理与方法第11-16页
    2.1 第一性原理计算方法概述第11页
    2.2 多电子体系中的基本近似第11-12页
    2.3 密度泛函理论(DFT)的应用第12-14页
    2.4 CASTEP功能特点第14页
    2.5 主要计算性质简介第14-16页
3 GaN点缺陷表面对Sr O分子、Ba O分子和TiO_2分子吸附的理论研究第16-38页
    3.1 引言第16页
    3.2 点缺陷表面对Sr O分子吸附的理论研究第16-24页
    3.3 点缺陷表面对Ba O分子吸附的理论研究第24-29页
    3.4 点缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究第29-36页
    3.5 小结第36-38页
4 GaN(0001)表面线缺陷对吸附影响的研究第38-50页
    4.1 引言第38页
    4.2 [10-10]线缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究第38-43页
    4.3 [11-20]线缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究第43-48页
    4.4 小结第48-50页
5 GaN(0001)表面台阶缺陷对吸附影响的研究第50-63页
    5.1 引言第50页
    5.2 [10-10]台阶缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究第50-56页
    5.3 [11-20]台阶缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究第56-61页
    5.4 小结第61-63页
6 结论第63-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-69页
在校期间的科研成果第69页

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