摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
1 概述 | 第8-11页 |
1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 GaN表面缺陷的研究 | 第9-11页 |
2 基本原理与方法 | 第11-16页 |
2.1 第一性原理计算方法概述 | 第11页 |
2.2 多电子体系中的基本近似 | 第11-12页 |
2.3 密度泛函理论(DFT)的应用 | 第12-14页 |
2.4 CASTEP功能特点 | 第14页 |
2.5 主要计算性质简介 | 第14-16页 |
3 GaN点缺陷表面对Sr O分子、Ba O分子和TiO_2分子吸附的理论研究 | 第16-38页 |
3.1 引言 | 第16页 |
3.2 点缺陷表面对Sr O分子吸附的理论研究 | 第16-24页 |
3.3 点缺陷表面对Ba O分子吸附的理论研究 | 第24-29页 |
3.4 点缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究 | 第29-36页 |
3.5 小结 | 第36-38页 |
4 GaN(0001)表面线缺陷对吸附影响的研究 | 第38-50页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 [10-10]线缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究 | 第38-43页 |
4.3 [11-20]线缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究 | 第43-48页 |
4.4 小结 | 第48-50页 |
5 GaN(0001)表面台阶缺陷对吸附影响的研究 | 第50-63页 |
5.1 引言 | 第50页 |
5.2 [10-10]台阶缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究 | 第50-56页 |
5.3 [11-20]台阶缺陷表面对TiO_2分子吸附的理论研究 | 第56-61页 |
5.4 小结 | 第61-63页 |
6 结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
在校期间的科研成果 | 第69页 |