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AlN薄膜的制备与性能的研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 压电薄膜材料与压电效应第13-17页
        1.2.1 ZnO压电薄膜的特性与应用简述第13-14页
        1.2.2 PZT(锆钛酸铅)薄膜的特性与应用简述第14页
        1.2.3 压电效应第14-16页
        1.2.4 压电材料的性能对比及选择第16-17页
    1.3 AlN薄膜的性能与应用概述第17-25页
        1.3.1 AlN的主要晶体结构第17-19页
        1.3.2 AlN薄膜的主要物理化学性能第19-20页
        1.3.3 AlN薄膜的应用第20-25页
    1.4 AlN薄膜的国内外研究现状第25-26页
        1.4.1 国外研究现状第25-26页
        1.4.2 国内研究现状第26页
    1.5 本文研究内容和目的第26-28页
第二章 AlN薄膜的制备与表征第28-40页
    2.1 薄膜的制备方法第28-31页
        2.1.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering)第28-29页
        2.1.2 真空蒸发镀膜法第29页
        2.1.3 分子束外延法(MBE)第29-30页
        2.1.4 脉冲激光沉积法(PLD)第30-31页
        2.1.5 金属有机物化学气相沉积沉积法(MOCVD)第31页
    2.2 薄膜的制备系统第31-34页
        2.2.1 磁控溅射的工作原理第31-33页
        2.2.2 实验设备与材料第33-34页
    2.3 实验工艺流程第34-36页
        2.3.1 实验流程第34-35页
        2.3.2 电学性能用点击的制备第35-36页
    2.4 薄膜的表征方法第36-40页
        2.4.1 薄膜结晶质量、结构和表面形貌的表征第36-38页
        2.4.2 成分、厚度、膜基结合力表征手段第38-39页
        2.4.3 电学性能的测试第39-40页
第三章 溅射参数对AlN薄膜结晶取向表面形貌的影响第40-60页
    3.1 溅射时间对AlN薄膜性能的影响第40-45页
        3.1.1 溅射时间对沉积速率的影响第41页
        3.1.2 溅射时间对AlN薄膜结晶取向的影响第41-43页
        3.1.3 溅射时间对AlN薄膜表面形貌的影响第43-45页
    3.2 溅射功率对AlN薄膜性能的影响第45-50页
        3.2.1 溅射功率对AlN薄膜沉积速率的影响第46-47页
        3.2.2 溅射功率对AlN薄膜结晶取向的影响第47-49页
        3.2.3 溅射功率对AlN薄膜表面形貌的影响第49-50页
    3.3 衬底温度对AlN薄膜性能的影响第50-54页
        3.3.1 衬底温度对AlN薄膜沉积速率的影响第51-52页
        3.3.2 衬底温度对AlN薄膜结晶取向的影响第52-53页
        3.3.3 衬底温度对AlN薄膜表面形貌的影响第53-54页
    3.4 溅射气氛比对AlN薄膜性能的影响第54-58页
        3.4.1 溅射气氛比对AlN薄膜沉积速率的影响第55-56页
        3.4.2 溅射气氛比对AlN薄膜结晶取向的影响第56-57页
        3.4.3 溅射气氛比对AlN薄膜表面形貌的影响第57-58页
    3.5 本章小结第58-60页
第四章 AlN薄膜电学、力学性能的研究及成分分析第60-69页
    4.1 AlN薄膜绝缘性能的研究第60-64页
        4.1.1 溅射时间对AlN薄膜绝缘性能的影响第60-61页
        4.1.2 溅射功率对AlN薄膜绝缘性能的影响第61-62页
        4.1.3 衬底温度对AlN薄膜绝缘性能的影响第62-63页
        4.1.4 气氛比对AlN薄膜绝缘性能的影响第63-64页
    4.2 薄膜介电性能与压电响应的研究第64-66页
    4.3 试验样品AlN薄膜的成分测试第66页
    4.4 AlN薄膜的膜基结合力测试第66-67页
    4.5 本章小结第67-69页
第五章 结论与展望第69-71页
    5.1 总结第69-70页
    5.2 展望第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-78页
攻读硕士期间取得的成果第78页

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