摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 压电薄膜材料与压电效应 | 第13-17页 |
1.2.1 ZnO压电薄膜的特性与应用简述 | 第13-14页 |
1.2.2 PZT(锆钛酸铅)薄膜的特性与应用简述 | 第14页 |
1.2.3 压电效应 | 第14-16页 |
1.2.4 压电材料的性能对比及选择 | 第16-17页 |
1.3 AlN薄膜的性能与应用概述 | 第17-25页 |
1.3.1 AlN的主要晶体结构 | 第17-19页 |
1.3.2 AlN薄膜的主要物理化学性能 | 第19-20页 |
1.3.3 AlN薄膜的应用 | 第20-25页 |
1.4 AlN薄膜的国内外研究现状 | 第25-26页 |
1.4.1 国外研究现状 | 第25-26页 |
1.4.2 国内研究现状 | 第26页 |
1.5 本文研究内容和目的 | 第26-28页 |
第二章 AlN薄膜的制备与表征 | 第28-40页 |
2.1 薄膜的制备方法 | 第28-31页 |
2.1.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第28-29页 |
2.1.2 真空蒸发镀膜法 | 第29页 |
2.1.3 分子束外延法(MBE) | 第29-30页 |
2.1.4 脉冲激光沉积法(PLD) | 第30-31页 |
2.1.5 金属有机物化学气相沉积沉积法(MOCVD) | 第31页 |
2.2 薄膜的制备系统 | 第31-34页 |
2.2.1 磁控溅射的工作原理 | 第31-33页 |
2.2.2 实验设备与材料 | 第33-34页 |
2.3 实验工艺流程 | 第34-36页 |
2.3.1 实验流程 | 第34-35页 |
2.3.2 电学性能用点击的制备 | 第35-36页 |
2.4 薄膜的表征方法 | 第36-40页 |
2.4.1 薄膜结晶质量、结构和表面形貌的表征 | 第36-38页 |
2.4.2 成分、厚度、膜基结合力表征手段 | 第38-39页 |
2.4.3 电学性能的测试 | 第39-40页 |
第三章 溅射参数对AlN薄膜结晶取向表面形貌的影响 | 第40-60页 |
3.1 溅射时间对AlN薄膜性能的影响 | 第40-45页 |
3.1.1 溅射时间对沉积速率的影响 | 第41页 |
3.1.2 溅射时间对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第41-43页 |
3.1.3 溅射时间对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第43-45页 |
3.2 溅射功率对AlN薄膜性能的影响 | 第45-50页 |
3.2.1 溅射功率对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第46-47页 |
3.2.2 溅射功率对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第47-49页 |
3.2.3 溅射功率对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
3.3 衬底温度对AlN薄膜性能的影响 | 第50-54页 |
3.3.1 衬底温度对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第51-52页 |
3.3.2 衬底温度对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第52-53页 |
3.3.3 衬底温度对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第53-54页 |
3.4 溅射气氛比对AlN薄膜性能的影响 | 第54-58页 |
3.4.1 溅射气氛比对AlN薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
3.4.2 溅射气氛比对AlN薄膜结晶取向的影响 | 第56-57页 |
3.4.3 溅射气氛比对AlN薄膜表面形貌的影响 | 第57-58页 |
3.5 本章小结 | 第58-60页 |
第四章 AlN薄膜电学、力学性能的研究及成分分析 | 第60-69页 |
4.1 AlN薄膜绝缘性能的研究 | 第60-64页 |
4.1.1 溅射时间对AlN薄膜绝缘性能的影响 | 第60-61页 |
4.1.2 溅射功率对AlN薄膜绝缘性能的影响 | 第61-62页 |
4.1.3 衬底温度对AlN薄膜绝缘性能的影响 | 第62-63页 |
4.1.4 气氛比对AlN薄膜绝缘性能的影响 | 第63-64页 |
4.2 薄膜介电性能与压电响应的研究 | 第64-66页 |
4.3 试验样品AlN薄膜的成分测试 | 第66页 |
4.4 AlN薄膜的膜基结合力测试 | 第66-67页 |
4.5 本章小结 | 第67-69页 |
第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
5.1 总结 | 第69-70页 |
5.2 展望 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-78页 |
攻读硕士期间取得的成果 | 第78页 |