| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展概述 | 第9-11页 |
| 1.2 功率快恢复二极管的发展 | 第11-12页 |
| 1.3 问题的提出及其研究动态 | 第12-13页 |
| 1.4 本章小结 | 第13-15页 |
| 第2章 P-i-N二级管概述 | 第15-25页 |
| 2.1 P-i-N二级管的基本结构和工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 雪崩耐量问题 | 第16-19页 |
| 2.2.1 雪崩耐量的概念 | 第16页 |
| 2.2.2 研究雪崩耐量问题的必要性 | 第16-17页 |
| 2.2.3 雪崩耐量的测试方法 | 第17-19页 |
| 2.3 ESD问题 | 第19-20页 |
| 2.3.1 ESD的概念 | 第19页 |
| 2.3.2 人体静电放电模型（HBM） | 第19-20页 |
| 2.4 半导体元器件的失效类型 | 第20-24页 |
| 2.4.1 二次击穿 | 第21-23页 |
| 2.4.2 氧化层和介质击穿 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 仿真工具简介及模型选取 | 第25-37页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD简介 | 第25-26页 |
| 3.2 基本方程 | 第26页 |
| 3.3 物理模型 | 第26-30页 |
| 3.3.1 载流子产生-复合模型 | 第26-28页 |
| 3.3.2 迁移率模型 | 第28-29页 |
| 3.3.3 碰撞电离模型 | 第29-30页 |
| 3.3.4 禁带变窄模型（Band Gap Narrowing） | 第30页 |
| 3.4 边界条件选取 | 第30-31页 |
| 3.5 数值求解方法 | 第31-32页 |
| 3.5.1 离散化 | 第31-32页 |
| 3.5.2 求解方法 | 第32页 |
| 3.6 器件仿真实例 | 第32-36页 |
| 3.7 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 P-i-N二极管雪崩耐量测试过程仿真 | 第37-61页 |
| 4.1 仿真用P-i-N二极管结构 | 第37页 |
| 4.2 雪崩耐量仿真方法及近似 | 第37-39页 |
| 4.3 仿真结果分析 | 第39-45页 |
| 4.3.1 瞬态响应特性 | 第39页 |
| 4.3.2 电压过冲阶段 | 第39-41页 |
| 4.3.3 负阻振荡阶段 | 第41-43页 |
| 4.3.4 周期性发展阶段 | 第43-45页 |
| 4.4 P-i-N二极管内的电流丝分析 | 第45-52页 |
| 4.4.1 电流丝的形成 | 第45-47页 |
| 4.4.2 电流丝的运动 | 第47-51页 |
| 4.4.3 电流丝引起的失效 | 第51-52页 |
| 4.5 失效位置的预测 | 第52-55页 |
| 4.6 场环对P-i-N二极管雪崩耐量的影响 | 第55-59页 |
| 4.7 功率FRD样管的雪崩耐量实测结果 | 第59-60页 |
| 4.8 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 反偏ESD与雪崩耐量测试仿真对比 | 第61-69页 |
| 5.1 反偏ESD的仿真模型 | 第61-62页 |
| 5.2 仿真结果分析 | 第62-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |