| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言：二维材料及其范德华异质结的发展 | 第8-9页 |
| 1.2 石墨烯/立方氮化硼范德华异质结 | 第9-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的理想衬底材料 | 第9-11页 |
| 1.2.2 调控石墨烯能带 | 第11-15页 |
| 1.2.3 界面稳定性的研究 | 第15-16页 |
| 1.3 论文的章节安排 | 第16-18页 |
| 第二章 样品制备方法与测量技术 | 第18-32页 |
| 2.1 外延石墨烯/六方氮化硼异质结 | 第18-21页 |
| 2.1.1 r-PECVD的基本结构和原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 石墨烯在六方氮化硼上的外延生长 | 第19-21页 |
| 2.2 二维材料范德瓦尔斯异质结转移技术 | 第21-24页 |
| 2.3 器件加工 | 第24-28页 |
| 2.4 低温输运测量 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 外延石墨烯/六方氮化硼范德华异质结的电子结构 | 第32-52页 |
| 3.1 引言 | 第32-36页 |
| 3.2 外延石墨烯/氮化硼范德华异质结的输运特性 | 第36-46页 |
| 3.2.1 超晶格中的量子霍尔效应 | 第36-40页 |
| 3.2.2 超晶格的双栅器件 | 第40-46页 |
| 3.3 角分辨光电子能谱测量 | 第46-51页 |
| 3.3.1 超晶格狄拉克点 | 第48-49页 |
| 3.3.2 原始狄拉克点的能隙 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 石墨烯Corbino器件的输运测量 | 第52-60页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 石墨烯Corbino器件的加工 | 第53-54页 |
| 4.3 导电态到绝缘体的多重转变 | 第54-57页 |
| 4.4 绝缘态能隙的测量 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 六方氮化硼上外延生长石墨烯纳米带 | 第60-83页 |
| 5.1 引言 | 第60-69页 |
| 5.1.1 相关理论 | 第60-62页 |
| 5.1.2 石墨烯纳米带的制备 | 第62-69页 |
| 5.2 六方氮化硼衬底上外延石墨烯纳米带 | 第69-82页 |
| 5.2.1 实验设计 | 第70-71页 |
| 5.2.2 生长条件优化 | 第71-74页 |
| 5.2.3 原子力显微镜表征 | 第74-77页 |
| 5.2.4 拉曼表征 | 第77-78页 |
| 5.2.5 输运测量 | 第78-82页 |
| 5.3 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 总结与展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-94页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第94-98页 |
| 致谢 | 第98-100页 |