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高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱动电路研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 论文研究背景及意义第10-11页
    1.2 脉冲功率技术的发展状况第11-12页
    1.3 SiC半导体器件的发展状况第12-14页
    1.4 论文研究目的及组织结构第14-16页
第2章 脉冲功率系统第16-31页
    2.1 脉冲功率技术第16-18页
        2.1.1 脉冲功率技术的基本原理第16页
        2.1.2 脉冲功率系统的组成与分类第16-18页
    2.2 脉冲功率电路的设计方案第18-19页
    2.3 实验平台及设备第19-22页
    2.4 接地第22-24页
    2.5 SiC GTO第24-27页
    2.6 SiCBJT第27-29页
    2.7 本章小结第29-31页
第3章 驱动电路的设计与研究第31-69页
    3.1 驱动电路的设计目标第31页
    3.2 常见电流型驱动电路第31-35页
        3.2.1 常见的GTO驱动电路第31-34页
        3.2.2 BJT驱动电路第34-35页
    3.3 驱动电路的设计第35-41页
        3.3.1 驱动电路要解决的问题第36页
        3.3.2 初始驱动电路的设计第36-41页
    3.4 初始驱动电路的测试过程第41-53页
        3.4.1 使用面包板搭建电路测试第41-44页
        3.4.2 使用洞洞板搭建电路测试第44-48页
        3.4.3 第一次PCB制版测试第48-49页
        3.4.4 层叠母排测试第49-53页
    3.5 改进后驱动电路的测试过程第53-67页
        3.5.1 改进型电路原理图第54-55页
        3.5.2 改进电路测试第55-58页
        3.5.3 器件I-V特性分析第58-59页
        3.5.4 阻抗优化测试第59-67页
    3.6 本章小结第67-69页
第4章 脉冲放电实验第69-79页
    4.1 驱动电路充电电路的设计第69-70页
    4.2 SiC BJT脉冲放电实验第70-79页
总结与展望第79-81页
参考文献第81-84页
致谢第84-85页
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录第85-86页
附录B 攻读学位期间参与的科研项目第86页

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