| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第12-59页 |
| 1.1 Dirac半金属 | 第12-25页 |
| 1.1.1 凝聚态物理中的Dirac方程 | 第13-16页 |
| 1.1.2 3D Dirac半金属材料 | 第16-18页 |
| 1.1.3 3D Dirac半金属材料的实验证实 | 第18-21页 |
| 1.1.4 3D Dirac半金属的电子输运 | 第21-25页 |
| 1.2 Weyl半金属 | 第25-34页 |
| 1.2.1 Weyl半金属介绍 | 第26-28页 |
| 1.2.2 Weyl半金属材料及其实验验证 | 第28-32页 |
| 1.2.3 Weyl半金属输运性质 | 第32-34页 |
| 1.3 拓扑Node- Line半金属 | 第34-46页 |
| 1.3.1 拓扑Node-Line半金属材料介绍 | 第35-38页 |
| 1.3.2 拓扑Node-Line半金属材料的理论预言 | 第38-41页 |
| 1.3.3 拓扑Node-Line半金属材料的实验进展 | 第41-46页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-59页 |
| 第二章 实验方法 | 第59-80页 |
| 2.1 晶体生长 | 第59-62页 |
| 2.1.1 CVD生长方法 | 第59-61页 |
| 2.1.2 CVT生长方法 | 第61-62页 |
| 2.2 纳米材料的器件制备 | 第62-63页 |
| 2.3 输运测量技术 | 第63-64页 |
| 2.4 SdH振荡分析 | 第64-67页 |
| 2.5 拓扑绝缘体纳米带的非平庸表面态 | 第67-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 第三章 3D Dirac半金属Cd_3As_2纳米器件的量子振荡及非平庸电子输运 | 第80-95页 |
| 3.1 Cd_3As_2纳米材料的研究现状 | 第80-83页 |
| 3.2 Cd_3As_2纳米线的生长及表征 | 第83-85页 |
| 3.3 Cd_3As_2纳米线的SdH振荡 | 第85-88页 |
| 3.4 Cd_3As_2纳米线在不同倾斜磁场方向的SdH振荡 | 第88-90页 |
| 3.5 本章小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 第四章 拓扑Node-Line材料ZrSiSe的磁电输运 | 第95-119页 |
| 4.1 研究背景介绍 | 第95-99页 |
| 4.2 ZrSiSe的磁电阻及其各向异性 | 第99-101页 |
| 4.3 ZrSiSe的dHvA效应 | 第101-105页 |
| 4.4 ZrSiSe的3维磁电阻的各向异性 | 第105-109页 |
| 4.5 ZrSiSe的转角SdH振荡 | 第109-115页 |
| 4.6 本章小结 | 第115页 |
| 参考文献 | 第115-119页 |
| 第五章 总结与展望 | 第119-122页 |
| 5.1 本文总结 | 第119-120页 |
| 5.2 展望 | 第120-122页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
