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FTO透明导电薄膜的制备及其性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第11-22页
    1.1 课题研究背景及意义第11-12页
    1.2 透明导电氧化物薄膜的研究现状第12-14页
        1.2.1 透明导电氧化物薄膜的发展第12页
        1.2.2 几种常见的透明导电氧化物薄膜第12-13页
        1.2.3 p-型掺杂和n-型掺杂SnO_2薄膜的介绍第13-14页
    1.3 FTO薄膜的研究现状第14-17页
        1.3.1 FTO薄膜的基本性质第14-15页
        1.3.2 F掺杂SnO_2薄膜的导电机制第15-16页
        1.3.3 F掺杂SnO_2薄膜的光学机制第16页
        1.3.4 不同氟源掺杂SnO_2薄膜的进展第16-17页
    1.4 FTO薄膜的制备方法第17-20页
        1.4.1 溶胶-凝胶法第17-18页
        1.4.2 化学气相沉积法第18-19页
        1.4.3 磁控溅射法第19页
        1.4.5 喷雾热分解法第19-20页
    1.5 本课题的研究内容、技术方案和创新点第20-22页
        1.5.1 研究内容第20-21页
        1.5.2 技术方案第21页
        1.5.3 创新点第21-22页
第二章 实验第22-31页
    2.1 实验条件第22-24页
        2.1.1 试剂及原料第22-23页
        2.1.2 仪器及设备第23-24页
    2.2 实验工艺第24-27页
        2.2.1 FTO薄膜制备工艺流程第24-25页
        2.2.2 玻璃基底的预处理第25页
        2.2.3 FTO薄膜前驱体的制备第25-26页
        2.2.4 FTO薄膜的制备第26-27页
    2.3 薄膜性能表征第27-29页
        2.3.1 X射线衍射仪第27页
        2.3.2 扫描电子显微镜第27-28页
        2.3.3 综合热分析第28页
        2.3.4 透射电子显微镜第28页
        2.3.5 红外光谱分析第28-29页
        2.3.6 分形维数分析第29页
    2.4 FTO薄膜性能测试第29-31页
        2.4.1 电学性能测试第29页
        2.4.2 光学性能测试第29-30页
        2.4.3 综合性能指数第30页
        2.4.4 热工性能第30-31页
第三章 改进的Sol-Gel法制备FTO薄膜的研究第31-45页
    3.1 制备工艺条件的优化第31-35页
        3.1.1 前驱体反应温度对FTO薄膜导电性能的影响第31-32页
        3.1.2 前驱体反应时间对FTO薄膜导电性能的影响第32-33页
        3.1.3 基体温度对FTO薄膜导电性能的影响第33-34页
        3.1.4 镀膜次数对FTO薄膜导电性能的影响第34-35页
    3.2 掺杂剂浓度(F/Sn原子比)对FTO薄膜性能的影响第35-41页
        3.2.1 F/Sn比对FTO薄膜结构的影响第35-38页
        3.2.2 F/Sn比对FTO薄膜表面形貌的影响第38-39页
        3.2.3 F/Sn比对FTO薄膜光学性能的影响第39-41页
        3.2.4 F/Sn比对FTO薄膜电学性能的影响第41页
    3.3 综合热分析与红外光谱分析第41-43页
        3.3.1 综合热分析第41-42页
        3.3.2 红外光谱分析第42-43页
    3.4 FTO薄膜性能指数分析第43页
    3.5 本章小结第43-45页
第四章 不同氟源对FTO薄膜性能的影响及作用机制第45-52页
    4.1 氟源种类对FTO薄膜的影响第45-49页
        4.1.1 氟源种类对FTO薄膜结构的影响第45-46页
        4.1.2 氟源种类对FTO薄膜表面形貌的影响第46-47页
        4.1.3 氟源种类对FTO薄膜光电性能的影响第47-49页
    4.2 不同氟源掺杂机制的探讨第49-50页
    4.3 本章小结第50-52页
第五章 结论与展望第52-55页
    5.1 结论第52-53页
    5.2 展望第53-55页
参考文献第55-59页
在读期间公开发表的论文及获奖情况第59-60页
致谢第60页

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