摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-22页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 透明导电氧化物薄膜的发展 | 第12页 |
1.2.2 几种常见的透明导电氧化物薄膜 | 第12-13页 |
1.2.3 p-型掺杂和n-型掺杂SnO_2薄膜的介绍 | 第13-14页 |
1.3 FTO薄膜的研究现状 | 第14-17页 |
1.3.1 FTO薄膜的基本性质 | 第14-15页 |
1.3.2 F掺杂SnO_2薄膜的导电机制 | 第15-16页 |
1.3.3 F掺杂SnO_2薄膜的光学机制 | 第16页 |
1.3.4 不同氟源掺杂SnO_2薄膜的进展 | 第16-17页 |
1.4 FTO薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
1.4.1 溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
1.4.2 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
1.4.3 磁控溅射法 | 第19页 |
1.4.5 喷雾热分解法 | 第19-20页 |
1.5 本课题的研究内容、技术方案和创新点 | 第20-22页 |
1.5.1 研究内容 | 第20-21页 |
1.5.2 技术方案 | 第21页 |
1.5.3 创新点 | 第21-22页 |
第二章 实验 | 第22-31页 |
2.1 实验条件 | 第22-24页 |
2.1.1 试剂及原料 | 第22-23页 |
2.1.2 仪器及设备 | 第23-24页 |
2.2 实验工艺 | 第24-27页 |
2.2.1 FTO薄膜制备工艺流程 | 第24-25页 |
2.2.2 玻璃基底的预处理 | 第25页 |
2.2.3 FTO薄膜前驱体的制备 | 第25-26页 |
2.2.4 FTO薄膜的制备 | 第26-27页 |
2.3 薄膜性能表征 | 第27-29页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第27页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
2.3.3 综合热分析 | 第28页 |
2.3.4 透射电子显微镜 | 第28页 |
2.3.5 红外光谱分析 | 第28-29页 |
2.3.6 分形维数分析 | 第29页 |
2.4 FTO薄膜性能测试 | 第29-31页 |
2.4.1 电学性能测试 | 第29页 |
2.4.2 光学性能测试 | 第29-30页 |
2.4.3 综合性能指数 | 第30页 |
2.4.4 热工性能 | 第30-31页 |
第三章 改进的Sol-Gel法制备FTO薄膜的研究 | 第31-45页 |
3.1 制备工艺条件的优化 | 第31-35页 |
3.1.1 前驱体反应温度对FTO薄膜导电性能的影响 | 第31-32页 |
3.1.2 前驱体反应时间对FTO薄膜导电性能的影响 | 第32-33页 |
3.1.3 基体温度对FTO薄膜导电性能的影响 | 第33-34页 |
3.1.4 镀膜次数对FTO薄膜导电性能的影响 | 第34-35页 |
3.2 掺杂剂浓度(F/Sn原子比)对FTO薄膜性能的影响 | 第35-41页 |
3.2.1 F/Sn比对FTO薄膜结构的影响 | 第35-38页 |
3.2.2 F/Sn比对FTO薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
3.2.3 F/Sn比对FTO薄膜光学性能的影响 | 第39-41页 |
3.2.4 F/Sn比对FTO薄膜电学性能的影响 | 第41页 |
3.3 综合热分析与红外光谱分析 | 第41-43页 |
3.3.1 综合热分析 | 第41-42页 |
3.3.2 红外光谱分析 | 第42-43页 |
3.4 FTO薄膜性能指数分析 | 第43页 |
3.5 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 不同氟源对FTO薄膜性能的影响及作用机制 | 第45-52页 |
4.1 氟源种类对FTO薄膜的影响 | 第45-49页 |
4.1.1 氟源种类对FTO薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
4.1.2 氟源种类对FTO薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
4.1.3 氟源种类对FTO薄膜光电性能的影响 | 第47-49页 |
4.2 不同氟源掺杂机制的探讨 | 第49-50页 |
4.3 本章小结 | 第50-52页 |
第五章 结论与展望 | 第52-55页 |
5.1 结论 | 第52-53页 |
5.2 展望 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
在读期间公开发表的论文及获奖情况 | 第59-60页 |
致谢 | 第60页 |