铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-11页 |
| 第2章 文献综述 | 第11-24页 |
| ·GaAs晶体的研究进展 | 第11页 |
| ·GaAs晶体的主要生长方法 | 第11-16页 |
| ·水平布里奇曼法 | 第12-13页 |
| ·液封提拉法 | 第13-14页 |
| ·蒸汽压控制提拉法 | 第14页 |
| ·垂直梯度凝固法/垂直布里奇曼法 | 第14-16页 |
| ·GaAsBi薄膜的生长与性能 | 第16-17页 |
| ·金属有机气象外延生长 | 第16-17页 |
| ·分子束外延 | 第17页 |
| ·Bi掺杂对GaAs薄膜性能的影响 | 第17-20页 |
| ·能带调控 | 第17-18页 |
| ·晶格参数 | 第18-19页 |
| ·性能变化 | 第19-20页 |
| ·GaAs晶体中的杂质能级 | 第20-23页 |
| ·本课题的研究意义和主要内容 | 第23-24页 |
| 第3章 实验 | 第24-30页 |
| ·原料制备 | 第24-25页 |
| ·晶体生长 | 第25-29页 |
| ·晶体加工 | 第29-30页 |
| 第4章 结果与讨论 | 第30-43页 |
| ·多晶料合成 | 第30-31页 |
| ·晶体生长 | 第31-33页 |
| ·晶体品质鉴定 | 第33-39页 |
| ·X射线双摇摆曲线 | 第33-35页 |
| ·SEM形貌与EDS成分表征 | 第35-37页 |
| ·熔融的KOH位错腐蚀 | 第37-39页 |
| ·光谱分析 | 第39-43页 |
| ·透射光谱和吸收系数 | 第39-40页 |
| ·禁带宽度 | 第40-43页 |
| 第5章 全文总结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读学位期间所开展的科研项目和发表的学术论文 | 第50页 |
